IGBT7 Diskrete Bauteile

Die IGBT7-Diskreten von Infineon Technologies sind die 7. Generation der TRENCHSTOP™-IGBTs, die mit Mikrostruktur-Trench-Technologie hergestellt werden. Die fortschrittliche Technologie bietet eine unübertroffene Kontrolle und ein hervorragendes Betriebsverhalten, was zu einer erheblichen Verlustreduzierung, einem verbesserten Wirkungsgrad und einer höheren Leistungsdichte in den Applikationen führt.

Ergebnisse: 44
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Datenblatt
417Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Datenblatt
7’798Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 76 A 230.8 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Datenblatt
1’112Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Datenblatt
599Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Datenblatt
283Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
Datenblatt
198Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Datenblatt
305Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Datenblatt
1’570Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
Datenblatt
318Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Datenblatt
410Auf Lager
480erwartet ab 29.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Datenblatt
487Auf Lager
480erwartet ab 05.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
Datenblatt
318Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Datenblatt
200Auf Lager
480Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
Datenblatt
Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Datenblatt
176Auf Lager
240erwartet ab 29.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Datenblatt
320Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Datenblatt
237Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Datenblatt
438Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 208 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Datenblatt
232Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 249 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Datenblatt
162Auf Lager
240erwartet ab 03.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 341 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
Datenblatt
35Auf Lager
240erwartet ab 03.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Datenblatt
317Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Datenblatt
97Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Datenblatt
82Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Datenblatt
149Auf Lager
240erwartet ab 26.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si IGBT7 H7 Tube