GaN FETs – Mouser Liechtenstein

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SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.

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Verpackung/Gehäuse

Transistorpolung

Anzahl der Kanäle

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

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Bild	Teile-Nr.	Herst.	Beschreibung	Datenblatt	Verfügbarkeit	Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.	Menge	Montageart	Verpackung/Gehäuse	Transistorpolung	Anzahl der Kanäle	Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung	Id - Drain-Gleichstrom	Rds On - Drain-Source-Widerstand	Vgs - Gate-Source-Spannung	Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung	Qg - Gate-Ladung	Minimale Betriebstemperatur	Maximale Betriebstemperatur	Pd - Verlustleistung	Kanalmodus	Handelsname	Technologie
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGB-TR Renesas Electronics 1: CHF 6.73 2’446Auf Lager	Herst. Teilenr. TP65H070G4LSGB-TR Mouser-Teilenr. 227-TP65H070G4LSGBTR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Mehr erfahren über Renesas Electronics transphorm tp65h150bg4jsg gan fet	Datenblatt	2’446Auf Lager	Cut-Tape CHF 6.73 CHF 3.65 CHF 3.35 CHF 3.28 CHF 3.00 Reel CHF 2.79	Min.: 1 Mult.: 1 : 3’000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP65H480G4JSG-TR Renesas Electronics 1: CHF 1.75 1’475Auf Lager	Herst. Teilenr. TP65H480G4JSG-TR Mouser-Teilenr. 227-TP65H480G4JSG-TR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN Mehr erfahren über Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Datenblatt	1’475Auf Lager	Cut-Tape CHF 1.75 CHF 0.845 CHF 0.713 CHF 0.597 Reel CHF 0.474 Anzeigen CHF 0.595 CHF 0.564 CHF 0.45 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 4’000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	560 mOhms	- 18 V, + 18 V	2.8 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	13.2 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics 1: CHF 8.57 1’754Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. TP65H030G4PRS-TR Mouser-Teilenr. 227-TP65H030G4PRS-TR Neues Produkt	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT Mehr erfahren über Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Datenblatt	1’754Auf Lager	Cut-Tape CHF 8.57 CHF 4.75 CHF 4.51 Reel CHF 3.93 CHF 3.84 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L TP65H030G4PWS Renesas Electronics 1: CHF 8.95 1’048Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. TP65H030G4PWS Mouser-Teilenr. 227-TP65H030G4PWS Neues Produkt	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L Mehr erfahren über Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Datenblatt	1’048Auf Lager	CHF 8.95 CHF 4.98 CHF 4.61 CHF 4.01 CHF 3.94	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL TP65H030G4PQS-TR Renesas Electronics 1: CHF 8.53 209Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. TP65H030G4PQS-TR Mouser-Teilenr. 227-TP65H030G4PQS-TR Neues Produkt	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL Mehr erfahren über Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Datenblatt	209Auf Lager	Cut-Tape CHF 8.53 CHF 5.67 CHF 5.03 CHF 4.41 CHF 3.94 Reel CHF 3.80 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 2’000	SMD/SMT	TOLL-10	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms		4.8 V	24.5 nC	- 55C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L TP65H050G4YS Renesas Electronics 1: CHF 8.41 529Auf Lager	Herst. Teilenr. TP65H050G4YS Mouser-Teilenr. 227-TP65H050G4YS	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L Mehr erfahren über Renesas Electronics transphorm tp65h050g4ys supergan fet	Datenblatt	529Auf Lager	CHF 8.41 CHF 4.97 CHF 4.22 CHF 3.73	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	35 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220 TP65H070G4PS Renesas Electronics 1: CHF 6.62 775Auf Lager	Herst. Teilenr. TP65H070G4PS Mouser-Teilenr. 227-TP65H070G4PS	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220 Mehr erfahren über Renesas Electronics transphorm tp65h070g4ps gan fet	Datenblatt	775Auf Lager	Cut-Tape CHF 6.62 CHF 3.68 CHF 3.37 CHF 2.85 Reel CHF 2.85	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’000	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.7 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT TP65H070G4RS-TR Renesas Electronics 1: CHF 6.87 1’608Auf Lager	Herst. Teilenr. TP65H070G4RS-TR Mouser-Teilenr. 227-TP65H070G4RS-TR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT Mehr erfahren über Renesas Electronics transphorm tp65H070g4rs supergan tolt fet	Datenblatt	1’608Auf Lager	Cut-Tape CHF 6.87 CHF 3.73 CHF 3.43 CHF 3.36 Reel CHF 2.86	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220 TP65H100G4PS Renesas Electronics 1: CHF 5.33 716Auf Lager Neu bei Mouser	Herst. Teilenr. TP65H100G4PS Mouser-Teilenr. 227-TP65H100G4PS Neu bei Mouser	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220	Datenblatt	716Auf Lager	Cut-Tape CHF 5.33 CHF 2.83 CHF 2.58 CHF 2.16 Reel CHF 2.15 Anzeigen CHF 2.12 CHF 2.04	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’000	Through Hole	TO-220-3	N-Channel		650 V	18.9 A	110 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.65 V	14.4 nC	- 55 C	+ 150 C	65.8 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP65H480G4JSGB-TR Renesas Electronics 1: CHF 1.75 3’744Auf Lager	Herst. Teilenr. TP65H480G4JSGB-TR Mouser-Teilenr. 227-TP65H480G4JSGBTR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN Mehr erfahren über Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Datenblatt	3’744Auf Lager	Cut-Tape CHF 1.75 CHF 0.845 CHF 0.756 CHF 0.601 Reel CHF 0.474 Anzeigen CHF 0.578 CHF 0.557 CHF 0.45	Min.: 1 Mult.: 1 : 4’000	SMD/SMT	QFN-7	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	560 mOhms	- 10 V, + 10 V	2.8 V	5 nC	- 55 C	+ 150 C	13.2 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSG-TR Renesas Electronics 1: CHF 6.85 2’585Auf Lager	Herst. Teilenr. TP65H070G4LSG-TR Mouser-Teilenr. 227-TP65H070G4LSG-TR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Mehr erfahren über Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Datenblatt	2’585Auf Lager	Cut-Tape CHF 6.85 CHF 3.72 CHF 3.43 CHF 3.36 CHF 3.08 Reel CHF 2.85	Min.: 1 Mult.: 1 : 3’000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220 TP65H150G4PS Renesas Electronics 1: CHF 4.35 1’755Auf Lager	Herst. Teilenr. TP65H150G4PS Mouser-Teilenr. 227-TP65H150G4PS	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220 Mehr erfahren über Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Datenblatt	1’755Auf Lager	CHF 4.35 CHF 2.36 CHF 2.10 CHF 1.75 Anzeigen CHF 1.71 CHF 1.62	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	13 A	180 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT TP65B110HRU-TR Renesas Electronics 1: CHF 6.42 1’192Auf Bestellung Neues Produkt	Herst. Teilenr. TP65B110HRU-TR Mouser-Teilenr. 227-TP65B110HRU-TR Neues Produkt	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT Mehr erfahren über Renesas Electronics renesas tp65b110hru bi directional switch	Datenblatt	1’192Auf Bestellung	Cut-Tape CHF 6.42 CHF 4.35 CHF 3.18 CHF 3.08 CHF 2.86 Reel CHF 2.62 MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1’500															SuperGaN
GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP TP70H135G4PJSGB-TR Renesas Electronics 5’000: CHF 0.945 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen Neues Produkt	Herst. Teilenr. TP70H135G4PJSGB-TR Mouser-Teilenr. 227-P70H135G4PJSGBTR Neues Produkt	Renesas Electronics	GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Reel CHF 0.945	Min.: 5’000 Mult.: 5’000 : 5’000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V	15.8 A	169 mOhms	20 V	2.5 V	5.9 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP TP70H135G4PLSGB-TR Renesas Electronics 3’000: CHF 1.00 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen Neues Produkt	Herst. Teilenr. TP70H135G4PLSGB-TR Mouser-Teilenr. 227-P70H135G4PLSGBTR Neues Produkt	Renesas Electronics	GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Reel CHF 1.00	Min.: 3’000 Mult.: 3’000 : 3’000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V	14.6 A	169 mOhms	20 V	2.5 V	5.9 nC	- 55 C	+ 150 C	59.5 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L TP65H035G4YS Renesas Electronics 1’200: CHF 4.42 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Herst. Teilenr. TP65H035G4YS Mouser-Teilenr. 227-TP65H035G4YS	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L Mehr erfahren über Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	CHF 4.42	Min.: 1’200 Mult.: 600	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	46.5 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.6 V	42.7 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL TP65H050G4QS-TR Renesas Electronics 2’000: CHF 3.54 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Herst. Teilenr. TP65H050G4QS-TR Mouser-Teilenr. 227-TP65H050G4QS-TR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Mehr erfahren über Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Reel CHF 3.54	Min.: 2’000 Mult.: 2’000 : 2’000	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	34 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	119 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGBEA-TR Renesas Electronics 3’000: CHF 2.58 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen Neues Produkt	Herst. Teilenr. TP65H070G4LSGBEA-TR Mouser-Teilenr. 227-TP65H070G4LSGBEA Neues Produkt	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Reel CHF 2.58	Min.: 3’000 Mult.: 3’000 : 3’000		PQFN-8			650 V										SuperGaN
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGEA-TR Renesas Electronics 3’000: CHF 2.56 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen Neues Produkt	Herst. Teilenr. TP65H070G4LSGEA-TR Mouser-Teilenr. 227-TP65H070G4LSGEAT Neues Produkt	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Reel CHF 2.56	Min.: 3’000 Mult.: 3’000 : 3’000		PQFN-8			650 V										SuperGaN
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL TP65H070G4QS-TR Renesas Electronics 2’000: CHF 2.51 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Herst. Teilenr. TP65H070G4QS-TR Mouser-Teilenr. 227-TP65H070G4QS-TR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL Mehr erfahren über Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Reel CHF 2.51	Min.: 2’000 Mult.: 2’000 : 2’000	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H100G4LSGB-TR Renesas Electronics 3’000: CHF 1.74 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Herst. Teilenr. TP65H100G4LSGB-TR Mouser-Teilenr. 227-TP65H100G4LSGBTR	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Reel CHF 1.74	Min.: 3’000 Mult.: 3’000 : 3’000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	18.9 A	110 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.1 V	14.4 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP TP70H130G4PLSG-TR Renesas Electronics 3’000: CHF 1.00 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen Neues Produkt	Herst. Teilenr. TP70H130G4PLSG-TR Mouser-Teilenr. 227-TP70H130G4PLSGTR Neues Produkt	Renesas Electronics	GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Reel CHF 1.00	Min.: 3’000 Mult.: 3’000 : 3’000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	700 V	16 A	163 mOhms	20 V	4.8 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220 TP70H130G4PPS Renesas Electronics 1: CHF 3.25 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen Neues Produkt	Herst. Teilenr. TP70H130G4PPS Mouser-Teilenr. 227-TP70H130G4PPS Neues Produkt	Renesas Electronics	GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	CHF 3.25 CHF 1.65 CHF 1.50 CHF 1.23 Anzeigen CHF 1.19 CHF 1.16	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	16 A	163 mOhms	20 V	4.8 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H150G4LSG-TR Renesas Electronics 3’000: CHF 1.08 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Herst. Teilenr. TP70H150G4LSG-TR Mouser-Teilenr. 227-TP70H150G4LSG-TR	Renesas Electronics	GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Mehr erfahren über Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Reel CHF 1.08	Min.: 3’000 Mult.: 3’000 : 3’000					700 V										SuperGaN	GaN
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H150G4LSGB-TR Renesas Electronics 3’000: CHF 1.05 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Herst. Teilenr. TP70H150G4LSGB-TR Mouser-Teilenr. 227-TP70H150G4LSGBTR	Renesas Electronics	GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Mehr erfahren über Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen	Reel CHF 1.05	Min.: 3’000 Mult.: 3’000 : 3’000					700 V										SuperGaN	GaN

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