SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.

Ergebnisse: 49
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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Technologie
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 240mohm GaN FET in DPAK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SMD/SMT TO-252-3L N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 312 mOhms 20 V 2.5 V 5.4 ns - 55 C + 150 C 31.2 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5’000
Mult.: 5’000
: 5’000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 312 mOhms 20 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W Enhancement SuperGan GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5’000
Mult.: 5’000
: 5’000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5’000
Mult.: 5’000
: 5’000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in DPAK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SMD/SMT TO-252-3L N-Channel 1 Channel 700 V 5 A 560 mOhms 20 V 2.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhanecement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.2 A 180 mOhms 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 312 mOhms 20 V 2 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 31.5 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 85mohm GaN FET in TOLL Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 180 mOhms 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in TO220
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN GaN
Renesas Electronics TP65H065G4PLSGB-TR
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H070G4LSGBA-TR
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H030G4PYS
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-4L Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 960
Mult.: 240

TO-247-4L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PQS-TR
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PRS-TR
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’300
Mult.: 1’300
: 1’300

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PWS
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 960
Mult.: 240

TO-247-3L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PYS
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 960
Mult.: 240

TO-247-4L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PLSG-TR
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PPS
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in TO-220 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’250
Mult.: 1’250

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PQS-TR
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in TOLL Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PRS-TR
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in TOLT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’300
Mult.: 1’300
: 1’300

650 V SuperGaN