650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi 650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs verwenden eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium (S) eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Diese 650-V-MOSFETs haben einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine kompakte Chipgröße, um eine geringe Kapazität und Gate-Ladung zu gewährleisten. Zu den Vorteilen gehören hoher Wirkungsgrad, schnelle Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduzierte EMI und geringere Systemgröße.

Ergebnisse: 29
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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datenblatt
3’250Auf Lager
Cut-Tape
CHF 22.10
CHF 17.18
CHF 16.40
CHF 16.27
Reel
CHF 16.27
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datenblatt
312Auf Lager
Cut-Tape
CHF 9.87
CHF 5.56
CHF 5.43
CHF 5.14
Reel
CHF 5.14
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Datenblatt
1’046Auf Lager
CHF 15.41
CHF 10.90
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datenblatt
1’282Auf Lager
Cut-Tape
CHF 18.85
CHF 14.08
CHF 12.17
CHF 10.91
Reel
CHF 10.91
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Datenblatt
438Auf Lager
CHF 11.01
CHF 6.73
CHF 6.36
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Datenblatt
497Auf Lager
CHF 8.16
CHF 5.42
CHF 5.10
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Datenblatt
895Auf Lager
4’950erwartet ab 25.06.2027
CHF 10.03
CHF 6.49
CHF 5.15
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 262 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Datenblatt
1’589Auf Lager
CHF 9.74
CHF 6.75
CHF 6.61
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Datenblatt
380Auf Lager
CHF 8.81
CHF 5.72
CHF 5.42
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Datenblatt
449Auf Lager
CHF 16.83
CHF 11.04
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Datenblatt
766Auf Lager
CHF 8.77
CHF 5.02
CHF 4.66
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TOLL 650V
Datenblatt
1’364Auf Lager
Cut-Tape
CHF 10.19
CHF 6.23
CHF 5.88
Reel
CHF 5.88
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datenblatt
794Auf Lager
Cut-Tape
CHF 10.38
CHF 6.79
CHF 6.47
CHF 6.42
Reel
CHF 6.42
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Datenblatt
202Auf Lager
CHF 23.16
CHF 16.26
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datenblatt
418Auf Lager
Cut-Tape
CHF 15.56
CHF 9.77
CHF 9.25
Reel
CHF 9.25
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datenblatt
453Auf Lager
Cut-Tape
CHF 31.17
CHF 23.55
CHF 23.53
CHF 22.29
Reel
CHF 22.29
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Datenblatt
752Auf Lager
Cut-Tape
CHF 7.68
CHF 4.22
Reel
CHF 4.22
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 80
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Datenblatt
531Auf Lager
CHF 8.46
CHF 4.66
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 45
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Datenblatt
422Auf Lager
CHF 7.99
CHF 4.41
CHF 3.88
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
Datenblatt
2’818Auf Lager
CHF 8.17
CHF 4.51
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 45
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 51 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Datenblatt
722Auf Lager
Cut-Tape
CHF 13.11
CHF 7.84
Reel
CHF 7.84
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 80
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Datenblatt
800Auf Lager
Cut-Tape
CHF 11.61
CHF 6.70
Reel
CHF 6.70
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 80
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Datenblatt
400Auf Lager
CHF 16.57
CHF 10.36
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 45
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 67 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Datenblatt
396Auf Lager
CHF 12.32
CHF 6.95
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 45
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Datenblatt
450Auf Lager
CHF 13.48
CHF 7.82
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 45
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement