GaN-HEMTs

Die Cree GaN- (Galliumnitrid) HEMTs (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) bieten eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten im Vergleich zu Si- und GaAs-Transistoren. GaN hat überlegene Eigenschaften im Vergleich zu Silizium oder Galliumarsenid, einschließlich höherer Durchlassspannung, höherer gesättigter Elektronendriftgeschwindigkeit und höherer Wärmeleitfähigkeit.
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
Datenblatt
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590Auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
Datenblatt
2’307Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
Datenblatt
162Auf Lager
640Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
Datenblatt
87Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
Datenblatt
46Auf Lager
225erwartet ab 16.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
Datenblatt
2Auf Lager
175Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
Datenblatt
41Auf Lager
100erwartet ab 24.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
Datenblatt
4Auf Lager
10erwartet ab 14.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
Datenblatt
960Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
Datenblatt
5Auf Lager
782Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
Datenblatt
1’754Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
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21erwartet ab 25.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
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750erwartet ab 15.09.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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694Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
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Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 100
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
Datenblatt
Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
Datenblatt
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
Datenblatt
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 50
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
Datenblatt

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 2 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
Datenblatt
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SMD/SMT Die N-Channel 50 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
Datenblatt
Produkt-Kommentare

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V