High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Ergebnisse: 70
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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-4
Datenblatt
3’278Auf Lager
CHF 15.94
CHF 9.54
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
Datenblatt
694Auf Lager
800erwartet ab 21.12.2026
Cut-Tape
CHF 9.37
CHF 6.63
CHF 4.91
CHF 4.65
Reel
CHF 4.65
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-4
Datenblatt
600Auf Lager
CHF 44.24
CHF 31.56
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/9MOSICFETG3TO247-4
Datenblatt
366Auf Lager
CHF 57.51
CHF 45.38
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 120 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-4
Datenblatt
583Auf Lager
CHF 10.38
CHF 5.83
CHF 5.41
CHF 5.20
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO24
Datenblatt
1’142Auf Lager
CHF 17.04
CHF 10.39
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Datenblatt
902Auf Lager
CHF 20.66
CHF 13.28
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247
Datenblatt
1’166Auf Lager
CHF 12.28
CHF 9.31
CHF 8.79
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24
Datenblatt
610Auf Lager
CHF 23.76
CHF 15.77
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3
Datenblatt
679Auf Lager
CHF 9.73
CHF 5.35
CHF 5.34
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247
Datenblatt
642Auf Lager
CHF 11.24
CHF 6.46
CHF 6.40
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-4
Datenblatt
562Auf Lager
CHF 11.24
CHF 7.97
CHF 6.97
CHF 5.88
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220
Datenblatt
475Auf Lager
CHF 9.65
CHF 5.56
CHF 5.15
CHF 4.79
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO263
Datenblatt
486Auf Lager
Cut-Tape
CHF 12.24
CHF 7.17
CHF 6.79
Reel
CHF 6.79
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO263
Datenblatt
648Auf Lager
Cut-Tape
CHF 11.30
CHF 6.47
CHF 6.12
Reel
CHF 6.12
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247
Datenblatt
627Auf Lager
CHF 9.91
CHF 5.67
CHF 5.26
CHF 5.04
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO263
Datenblatt
1’266Auf Lager
Cut-Tape
CHF 6.34
CHF 3.43
CHF 3.39
CHF 3.27
Reel
CHF 3.27
CHF 2.85
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
278Auf Lager
Cut-Tape
CHF 19.69
CHF 14.70
CHF 12.72
CHF 11.40
Reel
CHF 11.40
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220
Datenblatt
425Auf Lager
1’000erwartet ab 28.12.2026
CHF 21.41
CHF 17.14
CHF 14.82
CHF 13.28
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1’000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
Datenblatt
217Auf Lager
CHF 23.65
CHF 17.65
CHF 17.59
CHF 15.77
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-3
Datenblatt
513Auf Lager
CHF 21.54
CHF 13.37
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247
Datenblatt
1’258Auf Lager
CHF 12.32
CHF 7.43
CHF 6.33
CHF 5.82
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
287Auf Lager
Cut-Tape
CHF 23.81
CHF 18.86
CHF 17.59
CHF 15.90
Reel
CHF 15.90
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2
Datenblatt
355Auf Lager
Cut-Tape
CHF 10.28
CHF 5.90
CHF 5.44
CHF 5.15
Reel
CHF 5.15
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24
Datenblatt
381Auf Lager
CHF 29.51
CHF 21.94
CHF 20.82
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET