MOSFETs SiC-MOSFETs

Ergebnisse: 161
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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname


Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Datenblatt
1’130Auf Lager
CHF 24.35
CHF 16.36
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole 1 Channel 1.2 kV 127 A 14 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 110 nC - 55 C + 150 C 455 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
Datenblatt
670Auf Lager
CHF 7.66
CHF 3.74
CHF 3.62
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
Datenblatt
661Auf Lager
CHF 10.45
CHF 5.92
CHF 5.87
CHF 5.84
CHF 5.46
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Datenblatt
601Auf Lager
CHF 8.61
CHF 4.78
CHF 4.56
CHF 4.53
CHF 4.23
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1’000Auf Lager
Cut-Tape
CHF 5.02
CHF 2.65
CHF 1.96
CHF 1.95
Reel
CHF 1.95
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Datenblatt
797Auf Lager
CHF 11.76
CHF 7.79
CHF 6.51
CHF 6.36
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A 39 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 39 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1’995Auf Lager
Cut-Tape
CHF 7.56
CHF 4.40
CHF 4.06
CHF 3.81
Reel
CHF 3.62
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Central Semiconductor SiC-MOSFETs 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Datenblatt
17Auf Lager
CHF 31.83
CHF 26.05
CHF 23.02
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Datenblatt
1’642Auf Lager
CHF 49.92
CHF 46.53
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 111 A 12 mOhms - 10 V, + 22 V 2.7 V 288 nC - 55 C + 175 C 567 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
Datenblatt
266Auf Lager
Cut-Tape
CHF 10.45
CHF 5.92
CHF 5.84
CHF 5.46
Reel
CHF 5.46
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
143Auf Lager
Cut-Tape
CHF 14.67
CHF 9.06
CHF 8.81
Reel
CHF 8.57
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1’019Auf Lager
Cut-Tape
CHF 8.16
CHF 4.51
CHF 4.23
CHF 4.17
Reel
CHF 4.01
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
861Auf Lager
Cut-Tape
CHF 5.98
CHF 3.76
CHF 3.44
CHF 3.25
Reel
CHF 3.21
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
753Auf Lager
Cut-Tape
CHF 5.43
CHF 3.18
CHF 2.90
CHF 2.73
Reel
CHF 2.62
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
Datenblatt
1’707Auf Lager
CHF 5.80
CHF 5.21
CHF 5.00
CHF 4.69
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7 A 450 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 13 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
Datenblatt
994Auf Lager
Cut-Tape
CHF 22.45
CHF 15.60
CHF 15.59
Reel
CHF 14.57
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C Enhancement
SemiQ SiC-MOSFETs Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Datenblatt
391Auf Lager
CHF 10.13
CHF 6.07
CHF 5.23
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 280 A 25 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial
Datenblatt
2’442Auf Lager
Cut-Tape
CHF 4.77
CHF 2.70
CHF 2.33
CHF 1.94
Reel
CHF 1.77
CHF 1.54
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1700 V 4.4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 8 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Datenblatt
1’128Auf Lager
Cut-Tape
CHF 11.79
CHF 6.83
CHF 6.70
Reel
CHF 6.38
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Datenblatt
1’719Auf Lager
750Auf Bestellung
Cut-Tape
CHF 9.99
CHF 7.23
CHF 6.02
CHF 5.37
Reel
CHF 5.02
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 64 A 89 mOhms - 10 V, + 25 C 5.1 V 48.7 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Datenblatt
909Auf Lager
Cut-Tape
CHF 9.29
CHF 5.20
CHF 5.01
CHF 4.68
Reel
CHF 4.68
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 56 A 104 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 42.4 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Datenblatt
314Auf Lager
750erwartet ab 30.11.2026
Cut-Tape
CHF 7.80
CHF 4.29
CHF 3.99
CHF 3.72
Reel
CHF 3.72
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Datenblatt
2’155Auf Lager
Cut-Tape
CHF 6.85
CHF 3.72
CHF 3.42
CHF 3.34
Reel
CHF 3.14
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Datenblatt
228Auf Lager
240erwartet ab 30.11.2026
CHF 23.03
CHF 18.44
CHF 15.95
CHF 15.10
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 16 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Datenblatt
267Auf Lager
CHF 15.32
CHF 11.67
CHF 9.73
CHF 8.66
CHF 8.10
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC