Mobile LPDDR2 SDRAM

ISSI Mobile LPDDR2 SDRAMs achieve high-speed operation using a double data rate architecture. The Mobile LPDDR2 SDRAM double data rate architecture is a pre-fetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. The ISSI Mobile LPDDR2 data paths are internally pipelined and 4n bits pre-fetched to achieve very high bandwidth.

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Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA
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171Auf Lager
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SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A
ISSI IS43LD16640C-25BLI
ISSI DRAM 1G 64Mx16 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
Datenblatt
418Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz 64 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16640C
ISSI DRAM 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
Datenblatt
545Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32320C Reel
ISSI IS43LD32320C-18BLI
ISSI DRAM 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
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171erwartet ab 18.05.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD32320C
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B Reel
ISSI DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A Reel
ISSI DRAM LPDDR2,512M,RoHs 400MHz,16Mx32,IT
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A Reel
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 8 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B Reel
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
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SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
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Mult.: 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 8 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B
ISSI IS43LD32160A-25BLI-TR
ISSI DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A Reel
ISSI IS43LD16640C-18BLI
ISSI DRAM 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD16640C
ISSI IS43LD16640C-18BLI-TR
ISSI DRAM 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD16640C Reel
ISSI IS43LD16640C-25BLI-TR
ISSI DRAM 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD16640C Reel
ISSI IS43LD32320C-18BLI-TR
ISSI DRAM 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD32320C Reel
ISSI IS43LD32320C-25BLI-TR
ISSI DRAM 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD32320C Reel