Bulk EEPROM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Maximale Taktfrequenz
Organisation
Verpackung/Gehäuse
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Montageart
Datenspeicherung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 1.8V SERIAL EE, IND
Datenblatt
1’703Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 kbit UNI/O Bus 100 kHz 256 x 8 TO-92-3 1.8 V 5.5 V Through Hole 200 Year - 40 C + 85 C 11AA020 Bulk
Microchip Technology EEPROM 8K 1024 X 8 1.8V SERIAL EE, IND
Datenblatt
863Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

8 kbit UNI/O Bus 100 kHz 1 k x 8 TO-92-3 1.8 V 5.5 V Through Hole 200 Year - 40 C + 85 C 11AA080 Bulk
Microchip Technology EEPROM 16K 2048 X 8 1.8V SERIAL EE IND
Datenblatt
957Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

16 kbit UNI/O Bus 100 kHz 2 k x 8 TO-92-3 2.5 V 5.5 V Through Hole 200 Year - 40 C + 85 C 11LC161 Bulk
Microchip Technology AT21CS01-TOHM10-B
Microchip Technology EEPROM 1.7-3.6V, 125Kbps, Ind Tmp, TO-92, Add=000
Datenblatt
218Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 kbit 1-Wire, I2C 128 x 8 TO-92-3 1.7 V 3.6 V Through Hole 100 Year - 40 C + 85 C Bulk
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 1.8V SERIAL EE, IND
Datenblatt
16Auf Lager
3’000erwartet ab 14.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

1 kbit UNI/O Bus 100 kHz 128 x 8 TO-92-3 1.8 V 5.5 V Through Hole 200 Year - 40 C + 85 C 11AA010 Bulk
Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 1.8V SERIAL EE, IND
Datenblatt
514Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 kbit UNI/O Bus 100 kHz 512 x 8 TO-92-3 1.8 V 5.5 V Through Hole 200 Year - 40 C + 85 C 11AA040 Bulk
Microchip Technology EEPROM 16K 2048 X 8 1.8V SERIAL EE, IND
Datenblatt
2’410Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

16 kbit UNI/O Bus 100 kHz 2 k x 8 TO-92-3 1.8 V 5.5 V Through Hole 200 Year - 40 C + 85 C 11AA160 Bulk
Microchip Technology EEPROM 16K 2048 X 8 1.8V SERIAL EE IND
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

16 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 2 k x 8 TO-92-3 1.8 V 5.5 V Through Hole 200 Year + 85 C 11AA160 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 150NS PGA 883C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 120NS PGA 883C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 150NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 200NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 250NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 1M 5V SDP - 150NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

1 Mbit Parallel 128 k x 8 PGA-30 200 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C010 Bulk
Microchip Technology EEPROM 1M bit EEPROM w/128-Byte Page
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

1 Mbit Parallel 128 k x 8 PGA-30 120 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C010 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 200NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 PGA-28 200 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 150NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 200NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 250NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 150NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 90NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 120NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 90NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 120NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Bulk