Neueste Dioden u. Gleichrichter – Mouser Liechtenstein

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Littelfuse TVS Arrays Diodenarrays

06.26.2026

- TVS-Diodenarrays für Überspannungsschutz, ESD und EFT an Daten- und Energie-Schnittstellen.

Littelfuse AK-FL TVS-Dioden

05.04.2026

- Axial bedrahtete, flache und bidirektionale FlatSuppressX™ TVS-Dioden mit niedriger Klemmspannung.

Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Spitzenimpulsleistung von 5000 W bei Verwendung einer 10/1000 µs Wellenform und einer Verlustleistung von 6,5 W.

Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Speziell ausgelegt, um empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten zu schützen.

Littelfuse SJx08x SCRs für Hochtemperaturanwendungen

04.24.2026

- -Mit einer Spannung von bis zu 800 V, einer Stromstoßfestigkeit von bis zu 100 A und einer Temperaturbeständigkeit von bis zu +150 °C.

Littelfuse QVx35xHx Alternistor-TRIACs für Hochtemperaturanwendungen

04.24.2026

- Das Bauteil bietet einen Nennstrom von 35 A und ist in einem Gehäuse des Typs TO-220AB, TO-220 isoliert und TO-263 erhältlich.

Littelfuse SP1120-01WTG Unidirektionale diskrete TVS-Diode

03.09.2026

- Proprietäre Silizium und Avalanche Technology sowie hoher ESD-Schutz für elektronische Geräte.

Littelfuse Sx4340L TVS-Diodenarrays

03.05.2026

- Bietet eine extrem niedrige Kapazität von 0,55 pF in einem platzsparenden SOD882-Gehäuse.

Littelfuse SC3402-02ETG ESD-Schutzdiode

02.23.2026

- Eine ESD-Schutzdiode mit extrem niedriger Kapazität, die zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenschnittstellen entwickelt wurde.

Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor

02.06.2026

- Hohes Betriebsverhalten 160 A, 1.600 V Gerät mit einem planar passivierten Chip-Aufbau im PLUS247 Gehäuse.

Littelfuse Hochzuverlässige Dioden SM15KPA-HRA/SM30KPA-HRA

01.13.2026

- Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.

Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden

01.08.2026

- Bieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.

Littelfuse AQ3118-02JTG TVS-Diodenarray mit niedriger Kapazität

11.12.2025

- 2-Kanal-Schutz gegen ESD und Überspannungen, Kapazität von 0,3 pF zwischen Ein- und Ausgängen und Leckstrom von 50 nA bei 18 V.

Littelfuse AQ4324-01ETG Bidirektionale TVS-Diode

10.22.2025

- Bietet hohen Schutz für elektronische Einkanalgeräte, die anfällig für zerstörerische ESD sind.

Littelfuse SZSMF6L Fahrzeug-TVS-Dioden

08.29.2025

- Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere anfällige Schaltungen in Fahrzeugelektronik-Applikationen.

Littelfuse Ökosystemlösungen für vernetzte Arzneimittelverabreichungsgeräte

07.11.2025

- Breites Portfolio an Produkten, die zur Entwicklung und Verbesserung von Wirkstoffträgersystemen verwendet werden.

Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden

06.23.2025

- Bietet 3 kA Stromstoß und Einhaltung von IEC 61000-4-5 in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse.

Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V

06.23.2025

- Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.

Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Littelfuse 5.0SMDJ-FB TVS-Dioden

05.21.2025

- Speziell zum Schutz empfindlicher elektronischer Geräte vor Spannungsspitzen entwickelt.

Littelfuse Px0S3H SIDACtor-Thyristor mit hohem Stromstoß

05.02.2025

- Entwickelt für einen zuverlässigen Überspannungsschutz in Umgebungen mit hoher Belastung.

Littelfuse LX5 Empfindlicher Gate-TRIAC mit 0,5 A

04.25.2025

- Eine Baureihe bidirektionaler Halbleiterschalter, die eine direkte Schnittstelle zu Mikroprozessortreibern bietet.

Littelfuse Sxx30x SCR-Thyristoren

04.09.2025

- Für Applikationen wie z. B. Halbleiterrelais, Industrie-Elektrowerkzeuge und Hochleistungs-Motorsteuerungen ausgelegt.

Littelfuse Pxx00S3G-A SIDACtor® Schutzthyristoren

01.28.2025

- Entwickelt, um AC Stromleitungen in feindlichen Umgebungen vor Überspannungstransienten zu schützen.

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STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phase Inverter & IGBT SLLIMM

08.19.2026

- This device is ideal for motor drives operating up to 20kHz in hard-switching circuitry.

Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode

08.17.2026

- Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.

Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode

08.17.2026

- Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.

Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode

08.14.2026

- Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.

Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode

08.14.2026

- Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.

Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode

08.14.2026

- Features a low forward voltage drop in a low-profile package.

Nexperia 400V/650V DPAK Recovery-Gleichrichter

08.12.2026

- Hyperschnelle und ultraschnelle DPAK Recovery-Gleichrichter für die Hochspannungs-Leistungsumwandlung.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08.12.2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor

08.11.2026

- Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.

STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.10.2026

- Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor

08.10.2026

- Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.

Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD-Schutzdioden

08.04.2026

- ESD-Schutzdioden für Netzwerke CAN, CAN FD, CAN SIC und CAN XL im Fahrzeugbereich.

onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)

07.30.2026

- Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.

onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET

07.30.2026

- Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.

ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07.21.2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter

07.20.2026

- Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.

IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode

07.20.2026

- Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.

onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs

07.08.2026

- Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.

Bourns CDDFN2 TVS-Dioden zur Oberflächenmontage

07.07.2026

- ESD, EFT und Überspannungsschutz für externe Anschlüsse elektronischer Bauteile zur Begrenzung kritischer Schäden.

Semtech RCLAMP2891PQ TVS Diode

06.30.2026

- Einphasige 28-V-TVS-Diode mit extrem niedriger Kapazität schützt Hochgeschwindigkeits-Signalleitungen vor ESD und EOS.

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06.29.2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Bourns CDSOD323-T24LC-Q TVS-Dioden in Automobilqualität

06.26.2026

- Bidirektionale Automotive-Grade TVS-Dioden in einem kompakten SOD-323-Gehäuse.

Littelfuse TVS Arrays Diodenarrays

06.26.2026

- TVS-Diodenarrays für Überspannungsschutz, ESD und EFT an Daten- und Energie-Schnittstellen.

Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS-Dioden

06.25.2026

- Bieten Sie eine Auswahl an Spannungsoptionen von 3 V bis 36 V in einer bidirektionalen Bauform an.

Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP Bidirektionale TVS-Diode

06.22.2026

- Bauteil mit geringer Kapazität, das speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Differentialleitungen konzipiert ist.

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