MWT Serie MOSFET HF-Transistoren

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Id - Drain-Gleichstrom
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Betriebsfrequenz
Verstärkung
Ausgangsleistung
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
Datenblatt
90Auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

GaAs 440 mA to 800 mA 8 V 12 GHz 9 dB 32 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
Datenblatt
100Auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

GaAs 250 mA to 300 mA 8 V 18 GHz 11 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Datenblatt
100Auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

GaAs 180 mA to 220 mA 7.5 V 26 GHz 13 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Low Noise pHEMT Devices
Datenblatt
100Auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

GaAs 175 mA 4.5 V 26 GHz 8 dB, 11 dB 20 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Datenblatt
100Auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

GaAs 150 mA to 190 mA 7.5 V 28 GHz 12 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Datenblatt
20Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GaAs 26 GHz 19 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
Datenblatt
20Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GaAs 240 mA to 280 mA 18 GHz 13 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
Datenblatt
9Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GaAs 310 mA to 360 mA 12 GHz 13 dB 30.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Low Noise pHEMT Devices
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 10
: 10

GaAs 120 mA 4 V 26 GHz 10 dB, 13 dB 16 dBm + 150 C Die Reel
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

GaAs 90 mA to 120 mA 26 GHz 16 dB 25 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

GaAs 160 mA to 200 mA 18 GHz 13 dB 28.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

GaAs 40 mA to 60 mA 28 GHz 14 dB 21.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

GaAs 60 mA to 80 mA 6.5 V 28 GHz 15 dB 23 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

GaAs 220 mA 12 GHz 10 dB 26 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

GaAs 12 GHz 12 dB 22 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000

GaAs 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

GaAs 85 mA 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

GaAs 18 GHz 11 dB 26.5 dBm + 150 C Die Bulk