Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

Arten von Speicher-ICs
Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 51
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
Datenblatt
471Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
551erwartet ab 14.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
2’828erwartet ab 03.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit Parallel
ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb
Datenblatt
960erwartet ab 04.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT VFBGA-54 64 Mbit
ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
Datenblatt
476erwartet ab 04.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT VFBGA-54 64 Mbit
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
Datenblatt
956Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT 64 Mbit Parallel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
200erwartet ab 19.03.2027
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SRAM SMD/SMT BGA-54
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SRAM SMD/SMT BGA-54
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
Datenblatt
Nicht auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit Parallel
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SRAM
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SRAM
ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM
ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SRAM
ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SRAM
ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM
ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SRAM
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SRAM
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SRAM SMD/SMT 64 Mbit Parallel
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500
SRAM
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT 32 Mbit Parallel