GS84018CB Serie SRAM

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 120 mA, 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
4 Mbit 256 k x 18 7 ns 166 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 125 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
4 Mbit 256 k x 18 7 ns 166 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 145 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
4 Mbit 256 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 155 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
4 Mbit 256 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 145 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
4 Mbit 256 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
4 Mbit 256 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray