CoolSiC™ 650  V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

Die 650-V-Siliciumcarbid-MOSFETs G2 CoolSiC™ von Infineon Technologies nutzen das Betriebsverhalten von Siliciumcarbid und reduzieren Energieverluste, was zu einem höheren Wirkungsgrad während der Leistungsumwandlung führt. Die 650-V-Siliciumcarbid-MOSFETs G2 CoolSiC™ von Infineon Technologies bieten Vorteile für verschiedene Halbleiter-Energieanwendungen, wie Photovoltaik, Energiespeicher, DC-EV-Ladestationen, Motorantriebe und industrielle Stromversorgung. Eine DC-Schnellladestation für Elektrofahrzeuge, die mit CoolSiC G2 ausgestattet sind, ermöglicht bis zu 10 % weniger Leistungsverlust als frühere Generationen und gleichzeitig eine höhere Speicherkapazität ohne Kompromisse bei den Formfaktoren.

Ergebnisse: 53
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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1’900Auf Lager
Cut-Tape
CHF 12.13
CHF 7.09
CHF 6.70
Reel
CHF 6.70
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Datenblatt
3’317Auf Lager
240erwartet ab 26.11.2026
CHF 10.65
CHF 6.41
CHF 5.59
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datenblatt
256Auf Lager
Cut-Tape
CHF 19.87
CHF 13.37
CHF 13.36
Reel
CHF 12.65
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datenblatt
708Auf Lager
Cut-Tape
CHF 11.32
CHF 6.48
Reel
CHF 6.13
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datenblatt
280Auf Lager
Cut-Tape
CHF 10.47
CHF 6.29
CHF 6.15
CHF 5.78
Reel
CHF 5.09
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Datenblatt
416Auf Lager
Cut-Tape
CHF 6.72
CHF 3.83
CHF 3.52
CHF 3.37
Reel
CHF 2.93
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
788Auf Lager
Cut-Tape
CHF 5.87
CHF 3.14
CHF 2.87
CHF 2.73
Reel
CHF 2.58
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
901Auf Lager
Cut-Tape
CHF 15.37
CHF 9.62
CHF 9.43
Reel
CHF 9.11
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
489Auf Lager
Cut-Tape
CHF 13.29
CHF 7.98
CHF 7.55
Reel
CHF 7.55
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Datenblatt
909Auf Lager
1’800erwartet ab 03.06.2027
Cut-Tape
CHF 9.17
CHF 5.13
CHF 4.92
CHF 4.66
Reel
CHF 4.66
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’800
SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
814Auf Lager
Cut-Tape
CHF 5.27
CHF 2.79
CHF 2.56
CHF 2.24
Reel
CHF 2.24
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’800
SMD/SMT HDSOP-16 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
535Auf Lager
2’000erwartet ab 04.02.2027
Cut-Tape
CHF 19.43
CHF 14.41
CHF 13.24
CHF 12.83
Reel
CHF 12.15
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
2’051Auf Lager
2’000erwartet ab 08.04.2027
Cut-Tape
CHF 9.38
CHF 5.25
CHF 5.07
CHF 4.80
Reel
CHF 4.80
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
2’858Auf Lager
Cut-Tape
CHF 5.93
CHF 4.01
CHF 2.91
CHF 2.77
CHF 2.59
Reel
CHF 2.59
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
701Auf Lager
Cut-Tape
CHF 5.38
CHF 2.86
CHF 2.62
CHF 2.30
Reel
CHF 2.30
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000
TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
1’958Auf Lager
Cut-Tape
CHF 10.02
CHF 6.80
CHF 6.22
CHF 5.66
CHF 5.46
Reel
CHF 5.25
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000
SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V G2
Datenblatt
1’658Auf Lager
Cut-Tape
CHF 8.71
CHF 4.85
CHF 4.61
CHF 4.35
Reel
CHF 4.35
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000
SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
2’084Auf Lager
Cut-Tape
CHF 5.02
CHF 2.65
CHF 2.63
CHF 2.07
Reel
CHF 2.07
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000
SMD/SMT LHSOF-4 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Datenblatt
221Auf Lager
CHF 20.74
CHF 13.36
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Datenblatt
478Auf Lager
240erwartet ab 01.10.2026
CHF 11.99
CHF 6.75
CHF 6.61
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
486Auf Lager
CHF 6.81
CHF 3.65
CHF 3.36
CHF 2.90
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1’885Auf Lager
Cut-Tape
CHF 12.12
CHF 7.09
CHF 6.70
Reel
CHF 6.70
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’800
SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
10’334Auf Lager
Cut-Tape
CHF 11.75
CHF 6.80
CHF 6.43
Reel
CHF 6.43
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
682Auf Lager
CHF 28.20
CHF 19.67
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
9Auf Lager
3’750Auf Bestellung
Cut-Tape
CHF 21.07
CHF 15.21
CHF 14.00
CHF 13.24
Reel
CHF 12.90
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement