Arten von diskreten Halbleitern
Angewendete Filter:
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06.18.2026
06.18.2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
02.26.2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
02.26.2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02.26.2026
02.26.2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
Navitas Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules
02.20.2025
02.20.2025
Robust, high-voltage SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications.
Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
09.06.2024
09.06.2024
Ideal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.
Navitas Semiconductor Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
09.03.2024
09.03.2024
Developed using a proprietary trench-assisted planar technology for high-speed performance.
Navitas Semiconductor 1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
09.03.2024
09.03.2024
Enable 22kW, 800V bi-directional on-board chargers for Electric Vehicles (EVs).
Navitas Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes
09.03.2024
09.03.2024
Combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class thermal conductivity.
Navitas Semiconductor GaNFast™ Leistungs-ICs
03.01.2023
03.01.2023
Verfügen über einen integrierten GATE-Treiber, einen weiten VCC -Bereich, PWM-Eingänge und einen internen 2kV ESD-Schutz.
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Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes
08.04.2026
08.04.2026
Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.
onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET
07.30.2026
07.30.2026
Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.
onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)
07.30.2026
07.30.2026
Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.
ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs
07.21.2026
07.21.2026
Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.
IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter
07.20.2026
07.20.2026
Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.
IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode
07.20.2026
07.20.2026
Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.
onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs
07.08.2026
07.08.2026
Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.
Bourns CDDFN2 TVS-Dioden zur Oberflächenmontage
07.07.2026
07.07.2026
ESD, EFT und Überspannungsschutz für externe Anschlüsse elektronischer Bauteile zur Begrenzung kritischer Schäden.
Semtech RCLAMP2891PQ TVS Diode
06.30.2026
06.30.2026
Einphasige 28-V-TVS-Diode mit extrem niedriger Kapazität schützt Hochgeschwindigkeits-Signalleitungen vor ESD und EOS.
Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
06.29.2026
06.29.2026
Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.
Bourns CDSOD323-T24LC-Q TVS-Dioden in Automobilqualität
06.26.2026
06.26.2026
Bidirektionale Automotive-Grade TVS-Dioden in einem kompakten SOD-323-Gehäuse.
Littelfuse TVS Arrays Diodenarrays
06.26.2026
06.26.2026
TVS-Diodenarrays für Überspannungsschutz, ESD und EFT an Daten- und Energie-Schnittstellen.
Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS-Dioden
06.25.2026
06.25.2026
Bieten Sie eine Auswahl an Spannungsoptionen von 3 V bis 36 V in einer bidirektionalen Bauform an.
Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP Bidirektionale TVS-Diode
06.22.2026
06.22.2026
Bauteil mit geringer Kapazität, das speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Differentialleitungen konzipiert ist.
Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs
06.19.2026
06.19.2026
Zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06.18.2026
06.18.2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies EasyPACK™ S-Module
06.12.2026
06.12.2026
Effiziente Leistungsumwandlung in einem kompakten, einfach zu integrierenden Gehäuse, das für moderne Leistungsdesigns ausgelegt ist.
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge
05.27.2026
05.27.2026
Fortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.
Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs
05.18.2026
05.18.2026
Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.
Bourns CDSOT23-SM712-Q TVS-Diode zur Oberflächenmontage
05.12.2026
05.12.2026
Bietet Schutz für Datenanschlüsse gemäß IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 und IEC 61000-4-5.
Infineon Technologies CIPOS™ Prime CoolSiC™-Leistungsmodule für Fahrzeuganwendungen
05.06.2026
05.06.2026
Leistungsmodule sind für hohe Leistung in xEV-Anwendungen ausgelegt.
Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden
05.04.2026
05.04.2026
Spitzenimpulsleistung von 5000 W bei Verwendung einer 10/1000 µs Wellenform und einer Verlustleistung von 6,5 W.
Littelfuse AK-FL TVS-Dioden
05.04.2026
05.04.2026
Axial bedrahtete, flache und bidirektionale FlatSuppressX™ TVS-Dioden mit niedriger Klemmspannung.
Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden
05.04.2026
05.04.2026
Speziell ausgelegt, um empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten zu schützen.
Littelfuse SJx08x SCRs für Hochtemperaturanwendungen
04.24.2026
04.24.2026
-Mit einer Spannung von bis zu 800 V, einer Stromstoßfestigkeit von bis zu 100 A und einer Temperaturbeständigkeit von bis zu +150 °C.
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