Infineon Technologies CoolSiC™ 1.700-V-SiC-Trench-MOSFETs
CoolSiC™ -1.700-V-SiC-Trench-MOSFETs von Infineon verfügen über ein revolutionäres Siliziumkarbid-Material, das für Flyback-Topologien optimiert ist. Die SiC-Trench-MOSFETs bieten eine 12-V/0-V-Gate-Quellenspannung, die mit den meisten Flyback-Controllern kompatibel ist.
Darüber hinaus können die CoolSiC 1.700-V-SiC-Trench-MOSFETs direkt von einem Flyback-Controller angesteuert werden und bieten eine Verbesserung des Wirkungsgrad mit Reduzierung des Kühlaufwands.
Die CoolSiC 1.700-V-SiC-Trench-MOSFETs von Infineon eignen sich hervorragend für die Energieerzeugung, Industrienetzteile und Ladeinfrastruktur-Applikationen.
Merkmale
- Bahnbrechendes Material für Halbleiter – Siliziumkarbid
- Optimiert für Flyback-Topologien
- Gate-Quellenspannung von 12 V/0 V, die mit den meisten Flyback-Controllern kompatibel ist
- Sehr niedrige Schaltverluste
- Benchmark-Gate-Schwellenspannung, VGS (th) = 4,5 V
- Vollständig regelbarer dV/dt für EMI-Optimierung
- Reduzierung der Systemkomplexität
- Direkter Antrieb vom Flyback-Controller
- Effizienzverbesserung und Reduzierung des Kühlaufwands
- Ermöglicht höhere Frequenzen
Applikationen
- Energieerzeugung, Solarstringwechselrichter und Solaroptimierer
- Infrastruktur – Ladegerät
- Industrielle Netzteile, USV, SMPS
Typische Applikation
Verwandte Produkte
Infineon Technologies REF-22K-GPD-INV-EASY3B Evaluierungskits
Die industriellen Motorantriebs-Referenzkits für dreiphasige 400-V-AC-Stromnetze.
Infineon Technologies REF-DAB11KIZSICSYS Wandlerboard
Eine DC/DC-Stufe mit einem großen Ausgangsbereich mit 2 Induktivitäten und 2 Kondensatoren(CLLC)-Resonanznetzwerk.
Verwandter MOSFET
Infineon Technologies 2000 V CoolSiC™-MOSFETs
Trench-MOSFETs in einem TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse mit einer 4,5 V Benchmark-Gate-Schwellenspannung.