Infineon Technologies CoolGaN™ 600-V-GIT-HEMTs
Die CoolGaN™ 600-V-Gate-Injektion-Technologie (GIT) HEMTs (High-Electron-Mobility Transistoren) von Infineon Technologies bieten schnelle Einschalt- und Ausschaltgeschwindigkeiten bei minimalen Schaltverlusten. Diese GaN-Erweiterungsmodus-Leistungstransistoren sind in einem ThinPAK 5x6-Gehäuse zur Oberflächenmontage erhältlich und eignen sich hervorragend für Applikationen, die ein kompaktes Bauteil ohne Kühlkörper erfordern. Durch den kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm2 und die geringe Profilhöhe von 1 mm sind die CoolGaN™ 600-V-GIT-HEMTs von Infineon Technologies ideal, um eine hohe Leistungsdichte zu erreichen.
Merkmale
- Erweiterungsmodus-Transistor, normalerweise AUS-Schalter
- GaN-HEMT in einem drahtfreien SMD-Gehäuse mit kleinem Formfaktor
- GaN-angepasste Qualifizierung
- Ultraschnelle Schaltung
- Keine Sperrverzögerungsladung
- Rückleitungsfähig
- Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung
- Überlegene Kommutierungsrobustheit
- Verbessert den Systemwirkungsgrad
- Verbessert die Leistungsdichte
- Ermöglicht höhere Betriebsfrequenzen
- Reduzierung der Systemkosten
- Reduziert EMI
- Für Anwendungen in der Industrie gemäß JEDEC-Standards (JESD47 und JESD22) qualifiziert
- Bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform
Applikationen
- SNT für Industrie, Telekommunikation und Rechenzentren basierend auf der Halbbrücken-Topologie (Halbbrücken-Topologien für harte und weiche Schaltungen, beispielsweise Totem-Pole-PFC, Hochfrequenz-LLC)
- Stromsparendes SNT
- Ladegeräte und Adapter
Technische Daten
- 600 V maximale ununterbrochene Drain-Quellenspannung
- Minimale destruktive Drain-Quellen-Durchschlagspannung: 800 V
- Gepulste Drain-Quellenspannung
- 750 V (max.) bei +25 °C
- 650 V (max.) bei +125 °C
- 750 V maximale gepulste Schaltungsstoßspannung
- 8,2 A bis 12,8 A maximaler Drain-Quellen-Dauerstrombereich
- 12,2 A bis 23 A maximaler gepulster Drain-Quellen-Strombereich
- 5,9 A bis 11 A maximaler gepulster Drain-Quellen-Strombereich
- 4 mA bis 7,7 mA maximaler Gate-Dauerstrombereich
- 406 mA bis 770 mA maximaler gepulster Gate-Strombereich
- -10 V minimale Gate-Quellendauerspannung
- Gepulste Gate-Quellenspannung von mindestens -25 V
- 41,6 W bis 55,5 W maximaler Verlustleistungsbereich
- 200 V/ns maximale Drain-Quellen-Spannungsanstiegsrate
- Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
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Veröffentlichungsdatum: 2023-02-13
| Aktualisiert: 2023-09-08