Littelfuse TrenchT4™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Der Littelfuse TrenchT4™ n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein Avalanche-eingestufter Anreicherungstyp-MOSFET mit hoher Strombelastbarkeit und einem niedrigen Drain-Source-On-Widerstand von 1 mΩ. Dieser MOSFET mit hoher Leistungsdichte ist in einem TO-263-Standardgehäuse (7-Pin) erhältlich. Mit einem maximalen Betriebstemperaturbereich von +175 °C ist der TrenchT4 MOSFET für den Einsatz in DC/DC-Wandlern, Offline-USV, primärseitigen Schaltern und Hochstrom-Schaltapplikationen ausgelegt.
Merkmale
- n-Kanal-Anreicherungstyp
- Avalanche-eingestuft
- TO-263-Standardgehäuse (7-Pin)
- Maximaler Betriebstemperaturbereich: +175 °C
- Hochstromverarbeitungskapazität
- Niedriger Drain-Source-On-Widerstand
- Si-Technologie
- Einfache Montage
- Hohe Leistungsdichte
- RoHS-konform
Applikationen
- DC/DC-Wandler
- Offline-USV
- Hochstrom-Schaltapplikationen
- Primärseitiger Schalter
Technische Daten
- Drain-Source-Durchschlagspannung: 36 V
- Dauersenkenstrom: 380 A
- Drain-Source-On-Widerstand: 1 mΩ
- Gate-Source-Spannung: ±15 V
- Gate-Source-Schwellenspannung: 2 V
- Gate-Ladung: 260 nC
- Verlustleistung: 480 W
- Abfallzeit: 80 ns
- Anstiegszeit: 78 ns
- Typische Abschaltverzögerungszeit: 125 ns
- Typische Einschaltverzögerungszeit: 36 ns
- Durchlass-Transkonduktanz: mindestens 105 s
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
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Veröffentlichungsdatum: 2023-03-31
| Aktualisiert: 2023-04-06