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Diodes Incorporated DMN2992UFA 20-V-N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET

Der DMN2992UFA 20-V-N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET von Diodes Incorporated ist so konzipiert, dass der Einschaltwiderstand (RDS(ON)) minimiert wird. Der MOSFET bietet ein überlegenes Betriebsverhalten und eignet sich daher ideal für hocheffiziente Leistungsmanagement-Applikationen. Der DMN2992UFA MOSFET von Diodes Inc. ist in einem X2-DFN0806-3 Gehäuse mit niedrigem Profil und einer Höhe von 0,04 mm erhältlich.

Merkmale

  • Niedriges Gehäuseprofil, 0,4 mm maximale Gehäusehöhe
  • 0,48 mm2 Gehäuse-Footprint, 16-mal kleiner als SOT23
  • Niedriger On-Widerstand
  • Sehr niedrige GATE-Schwellenspannung, max. 1,0 V
  • ESD-geschütztes GATE
  • Vollständig RoHS-konform und völlig bleifrei
  • Halogen- und antimonfreies „grünes“ Gerät
  • Für Fahrzeuganwendungen, die eine spezifische Änderungsüberwachung erfordern

Applikationen

  • Allzweck-Schnittstellenschalter
  • Energiemanagementfunktionen
  • Analogschalter

Technische Daten

  • X2-DFN0806-3-Gehäuse
  • Geformter Kunststoff, Verpackungsmaterial aus „grüner“ Formmasse
  • UL-Entflammbarkeitsklassifizierung 94V-0
  • Feuchteempfindlichkeit 1 gemäß J-STD-020
  • Ausführung – NiPdAu über Kupfer- Leadframe -Anschlüssen
  • Nach MIL-STD-202, Verfahren 208 lötbar
  • Gewicht: ca. 0,001 Gramm

Applikations-Schaltung

Applikations-Schaltungsdiagramm - Diodes Incorporated DMN2992UFA 20-V-N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2025-10-16 | Aktualisiert: 2025-11-04