Neu Relais, Schaltschütze und Solenoide

Omron G3VH SiC-MOSFET-Relais
Omron G3VH SiC-MOSFET-Relais sind Hochlastspannungs-MOSFET-Relais, die auf der SiC-MOSFET-Technologie (Siliciumcarbid) basieren, um das Schalten bei Spannungen von 1000 V oder mehr zu ermöglichen. Diese Relais unterstützen Lastspannungen bis zu 1800 V oder 3300 V bei gleichzeitig niedrigem Einschaltwiderstand für einen effizienten Betrieb. Die G3VH Relais sind in einem kompakten 6-Pin-DIP-Gehäuse mit einer normalerweise offenen (1a/SPST-NO) Kontaktkonfiguration untergebracht. Diese G3VH SiC-MOSFET-Relais zeichnen sich durch einen Eingangsdurchlassstrom von 50 mA, eine hohe Isolierung bis zu 5000 Vrms zwischen Eingang und Ausgang sowie eine schnelle Schaltleistung aus. Typische Applikationen sind Halbleitertestgeräte und Batteriemanagementsysteme (BMS), bei denen Hochspannungsschaltungen erforderlich sind.