Infineon Technologies CoolSiC™-Hybrid-IGBTs
CoolSiC™ -Hybrid-IGBTs von Infineon Technologies kombinieren einen schnellschaltenden TRENCHSTOP™-5-IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate), 650 V, mit einer CoolSiC ™ -Schottky-Diode. Diese Bauteile sind optimiert, sodass sie eine kostengünstige Leistungssteigerung für schnellschaltende Fahrzeuganwendungen ermöglichen.
Die Kombination eines erstklassigen IGBTs mit einer Siliziumkarbiddiode (SiC) bildet für hartschaltende Topologien einen perfekten Kompromiss zwischen Kosten und Leistung. Aufgrund der unipolaren CoolSiC-Schottky-Diode ohne Sperrverzögerung wird der Leistungsverlust des IGBT gegenüber ausschließlich auf Silizium basierenden Lösungen deutlich reduziert. Aufgrund dieser Reduzierung eignen sich diese Bauteile ideal für harte Kommutierungsanwendungen in kostensensiblen Systemen, z. B. die Totem-Pole-Topologie in On-Board-Ladegerät-Applikationen in Fahrzeugen. Diese Funktionen führen zu einer besseren Marge für Design-in-Aktivitäten mit geringer Komplexität.
Die CoolSiC-Hybrid-IGBTs von Infineon Technologies werden in PG-TO247-3- oder PG-TO263-7-HV-ND4.2-Gehäusen angeboten und sind gemäß AEC-Q101/100 für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen qualifiziert.
Merkmale
- Gemäß AEC-Q101/100 qualifiziert
- Erstklassiger Wirkungsgrad bei harten Schaltungen und in Resonanz-Topologien
- Keine Sperrverzögerungs- oder Durchlassverzögerungsladung
- Robust gegen Stromstöße
- Durchschlagspannung: 650 V
- Niedrige Gate-Ladung (QG)
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +175 °C
- Bleifreie Leitungsbeschichtung und RoHS-konform
Applikationen
- On-Board-Ladegeräte
- Blindleistungskompensation (PFC)
- DC/DC