Infineon Technologies IRF150DM115 OptiMOS™-5-150 V-MOSFET

Der OptiMOS™-5-150-V-MOSFET IRF150DM115 von Infineon Technologies wurde zur Optimierung des thermischen Designs entwickelt, um eine hohe Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad zu erreichen. Dieser MOSFET bietet eine bahnbrechende Reduzierung des R_DS(on) (bis zu 25 % im Vergleich zur Alternative in SuperSO8) und Q_rr, ohne FOM_gd und FOM_OSS zu beeinträchtigen. Dadurch wird der Konstruktionsaufwand effektiv reduziert und die Systemeffizienz optimiert. Der MOSFET IRF150DM115 ist in einem DirectFET™-Gehäuse mit OptiMOS™ 5 verfügbar. Das doppelseitig gekühlte Gehäuse mit geringer parasitärer Induktivität und Profilgestaltung ermöglicht Designs mit hoher Leistungsdichte. Dieser OptiMOS-5-150-V-MOSFET eignet sich für den Einsatz bei der gezielten Leistungsumwandlung in Photovoltaik-Optimierern, schnurlosen Elektrowerkzeugen und Motorsteuerungen. Zu den möglichen Applikationen gehören Mikro-Solar-Wechselrichter, Synchrongleichrichtung und DC/DC-Wandler.