IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET
Der SiC-MOSFET IXYS IXSH110N120L3KHV ist ein SiC-MOSFET mit 1200 V der dritten Generation, der für hocheffiziente Stromumwandlung und Anwendungen mit schnellen Schaltvorgängen entwickelt wurde. Dieses MOSFET bietet einen Dauersenkenstrom von 112 A und einen niedrigen RDS(on) von 18 mΩ (typisch), was zu geringeren Leistungsverlusten und einem verbesserten Systemwirkungsgrad führt. Der IXSH110N120L3KHV MOSFET zeichnet sich durch eine hohe Sperrspannungskapazität, eine niedrige Kapazität und eine ultraschnelle intrinsische Body-Diode für hervorragende Schaltleistung aus. Die Kelvin-Quellenverbindung trägt dazu bei, Schaltverluste zu minimieren und die Gate-Treiber-Steuerung zu verbessern. Der IXSH110N120L3KHV SiC- MOSFET eignet sich hervorragend für anspruchsvolle Applikationen wie Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Motorantriebe DC/DC-Wandler, Solar-Wechselrichter und Schaltnetzteile.
Merkmale
- SiC-MOSFET-Technologie der drittenGeneration mit einer Gate-Treiber-Spannung von –3,5 V/+15 V bis 18 V
- Hohe Sperrspannung bei geringem Einschaltwiderstand
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbelastbarkeit von 175 °C
- Ultraschnelle und robuste intrinsische Body-Diode
- Kelvin-Quellenkontakt
- Drain-Quellenspannung: 1.200 V
- Dauersenkenstrom von 112 A
- Drain-Source-Einschaltwiderstand von 18mΩ (typisch)
- RoHS-konform
Applikationen
- Motorantriebe
- EV-Ladeinfrastruktur
- DC-DC-Wandler
- Schaltnetzteile (SNT)
- Solar-Wechselrichter
Abmessungen Zeichnung (TO-247-4 L)
Verwandte SiC-MOSFETs
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET
1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET
1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET
1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET
1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.