IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET
Der IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET ist ein SiC-MOSFET mit 1200 V der dritten Generation, der für hocheffiziente Stromumwandlung und Anwendungen mit schnellen Schaltvorgängen entwickelt wurde. Dieses MOSFET bietet einen Dauersenkenstrom von 48,3 A und einen niedrigen RDS(on) von 55 mΩ (typisch), was zu geringeren Leistungsverlusten und einem verbesserten Systemwirkungsgrad führt. Der IXSH50N120L3KHV MOSFET zeichnet sich durch eine hohe Sperrspannungskapazität, eine niedrige Kapazität und eine ultraschnelle intrinsische Body-Diode für hervorragende Schaltleistung aus. Die Kelvin-Quellenverbindung trägt dazu bei, Schaltverluste zu minimieren und die Gate-Treiber-Steuerung zu verbessern. Der IXSH50N120L3KHV SiC- MOSFET eignet sich hervorragend für anspruchsvolle Applikationen wie Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Motorantriebe DC/DC-Wandler, Solar-Wechselrichter und Schaltnetzteile.
Merkmale
- SiC-MOSFET-Technologie der drittenGeneration mit einer Gate-Treiber-Spannung von –3,5 V/+15 V bis 18 V
- Hohe Sperrspannung bei geringem Einschaltwiderstand
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbelastbarkeit von 175 °C
- Ultraschnelle und robuste intrinsische Body-Diode
- Kelvin-Quellenkontakt
- Drain-Quellenspannung: 1.200 V
- Drainstrom von 48,3 A
- Drain-Source-Einschaltwiderstand von 55 mΩ (typisch)
- RoHS-konform
Applikationen
- Motorantriebe
- EV-Ladeinfrastruktur
- DC-DC-Wandler
- Schaltnetzteile (SNT)
- Solar-Wechselrichter
Abmessungen Zeichnung (TO-247-4 L)
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