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IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei gleichzeitig verbessertem Wirkungsgrad. Diese Leistungs-MOSFETs sind in einem PLUS-Gehäuse erhältlich, das einen höheren Nennstrom und eine höhere Leistungsdichte ermöglicht. Die Leistungs-MOSFETs der X4-Klasse sind pinkompatibel mit dem Standardgehäuse TO-247 und lassen sich leicht aus bestehenden Designs für eine höhere Leistung aufrüsten. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine niedrige Gate-Ladung und einen niedrigen thermischer Widerstand aus. Typische Applikationen sind DC-Lastschalter, Batterieschutz, Batterie-ODER-Schaltungen, Batterieenergie-Speichersysteme und DC/DC-Auf-/Abwärtswandler.

Merkmale

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Hoher Nennstrom
  • Geringe elektrische Ladung am GATE
  • Geringe thermischer Widerstand
  • Geringe Leitungsverluste und verbesserter Wirkungsgrad
  • Reduzierter Aufwand für Parallelschaltungen mit reduzierter Bauteilanzahl
  • Vereinfachtes Treiberdesign
  • Vereinfachtes thermisches Design
  • N-Kanal- Verstärkungsmodus
  • Avalanche-bewertet
  • PLUS-Gehäuse, das einen höheren Nennstrom und eine höhere Leistungsdichte ermöglicht
  • Pin-Kompatibilität mit dem Standard- TO-264 -Paket
  • Einfache Aufrüstung bestehender Designs für höheren Ausgang

Applikationen

  • DC Last Schalter
  • Batterieschutz
  • Batterie-ODER-Verknüpfung
  • Batterie-Energie- Speichersysteme
  • DC/DC Auf-/Abwärtswandler

Technische Daten

  • Drain-Source-Spannung 200 V im Bereich von 25 °C bis 175 °C
  • Gate-Source-Spannung:
    • ±20 V kontinuierlich
    • ±30 V transient
  • 160 A Anschluss RMS-Stromstärke
  • Drainstrom:
  • Lagertemperaturbereich von –55 °C bis 175 °C

Pinbelegungsdiagramm

Applikations-Schaltungsdiagramm - IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

Datenblätter

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Teilnummer Abfallzeit Pd - Verlustleistung Qg - Gate-Ladung Rds On - Drain-Source-Widerstand Anstiegszeit Regelabschaltverzögerungszeit Typische Einschaltverzögerungszeit
IXTB500N20X4 485 ns 1.56 kW 535 nC 2.65 mOhms 560 ns 600 ns 200 ns
IXTX400N20X4 370 ns 1.36 kW 348 nC 3.3 mOhms 480 ns 430 ns 150 ns
Veröffentlichungsdatum: 2025-12-26 | Aktualisiert: 2026-02-02