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Nexperia BSH205G2 20V p-Kanal-Trench-MOSFET

Der NXP p-Kanal-Trench-MOSFET ist ein Verbesserungsmodus-Feldeffekt-Transistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Er verwendet die Trench-MOSFET-Technologie und bietet eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert und eine sehr hohe Schaltgeschwindigkeit. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber und Schaltkreisanwendungen.

The Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET is AEC-Q101 qualified and suitable for use in automotive applications.

Merkmale

  • AEC-Q101 qualified
  • Enhanced power dissipation capability of 890mW
  • Trench MOSFET technology
  • Low on-state resistance
  • Low threshold voltage
  • -55°C to 150°C ambient temperature range
  • SOT23 (TO-236AB) package

Applikationen

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • High-side loadswitch
  • Switching circuits

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Package Outline

Technische Zeichnung - Nexperia BSH205G2 20V p-Kanal-Trench-MOSFET

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Veröffentlichungsdatum: 2015-03-10 | Aktualisiert: 2022-11-28