Nexperia eMode GaN-FETs
Die Nexperia eMode GaN FETs sind in einem Spannungsbereich von 100 V bis 650 V mit überragender Schaltleistung erhältlich. Diese GaN FETs bieten aufgrund ihrer niedrigen QC- und QOSS-Werte schnelle Übergangsfunktionen, was zu einer hervorragenden Energieeffizienz führt.
Die eMode GaN FETs von Nexperia mit niedriger Spannung (<200 v)="">bieten optimale Flexibilität in Energiesystemen. Diese Bauteile ermöglichen ein schnelleres Aufladen für E-Mobilitäts- und drahtgebundene/drahtlose Ladesysteme sowie erhebliche Platz- und BOM-Einsparungen in LiDAR und geringeres Rauschen in Audioverstärkern der Klasse D.
Die Nexperia eMode GaN FETs für Hochspannung (200 V bis 650 V) bieten optimale Flexibilität in Leistungssystemen und eignen sich hervorragend für Applikationen im mittleren Leistungsbereich von <1 kw.="" diese="" bauteile="" verbessern="" den="" wirkungsgrad="" für="" die="" ac/dc-="" und="" dc/ac-leistungsumwandlung="" von="" 650="" v.="" sowie="" erhebliche="" platz-="" und="" bom-einsparungen="" in="" bldc-="" und="" mikro-servo-motorantrieben="" oder="">
Merkmale
- Erweiterungsmodus — Normal-Aus-Netzschalter
- Ultra-Hochfrequenz-Schaltfähigkeit
- Keine Body-Diode
- Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung
- Hoher Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte
- Qualifiziert für Standardapplikationen
- ESD-Schutz
- Bleifrei, RoHS- und REACH-konform
Applikationen
- Hohe Leistungsdichte und hocheffiziente Leistungsumwandlung
- AC/DC-Wandler
- Schnelles Batterieladen, Handy-, Laptop-, Tablet- und USB Type-C™-Ladegeräte
- Datenkommunikations- und Telekommunikations-Wandler (AC/DC und DC/DC)
- Motorantriebe
- Audioverstärker der Klasse D
Videos
Weitere Ressourcen
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Nexperia GAN041-650WSB Galliumnitrid(GaN)-FET
Bietet eine Drain-Quellenspannung von 650 V, einen Drain-Nennstrom von 47,2 A und einen maximalen Widerstand von 41 mΩ.
| Teilnummer | Datenblatt | Verpackung/Gehäuse | Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung | Id - Drain-Gleichstrom | Pd - Verlustleistung | Rds On - Drain-Source-Widerstand |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GAN140-650EBEZ |  |
DFN-8080-8 | 650 V | 17 A | 113 W | 140 mOhms |
| GANE140-700BBAZ | |
TO-252-3 | 700 V | 17 A | 110 W | 140 mOhms |
| GANE190-700BBAZ | |
TO-252-3 | 700 V | 11.5 A | 84 W | 190 mOhms |
| GANE350-650FBAZ | |
DFN-5 | 650 V | 6 A | 65 W | 350 mOhms |
| GANE350-700BBAZ | |
TO-252-3 | 700 V | 6 A | 47 W | 350 mOhms |
| GAN080-650EBEZ | |
DFN-8080-8 | 650 V | 29 A | 188 W | 80 mOhms |
| GAN190-650FBEZ | |
DFN-5060-5 | 650 V | 11.5 A | 125 W | 190 mOhms |
| GAN3R2-100CBEAZ | |
WLCSP-8 | 100 V | 60 A | 394 W | 3.2 mOhms |
| GAN7R0-150LBEZ | |
FCLGA-3 | 150 V | 28 A | 28 W | 7 mOhms |
| GANE240-700BBAZ | |
TO-252-3 | 700 V | 10 A | 74 W | 240 mOhms |