Nexperia GANB4R8-040CBA Bidirektionaler GaN FET
Beim GANB4R8-040CBA bidirektionalen GaN FET von Nexperia handelt es sich um einen 40 V, 4,8 mΩ bidirektionalen Galliumnitrid (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT). Der GANB4R8-040CBA ist ein normalerweise ausgeschalteter Emode-FET, der eine hervorragende Leistung bietet. Der GANB4R8-040CBA von Nexperia ist in einem Wafer-Level-Chip-Scale-Gehäuse (WLCSP) erhältlich.
Merkmale
- Enhancement Modus – normalerweise ausgeschalteter Stromschalter
- Bidirektionales Bauelement
- Fähigkeit zur extrem hohen Schaltgeschwindigkeit
- Sehr niedriger Einschaltwiderstand
- RoHS, bleifrei, REACH-konform
- Hoher Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte
- Wafer-Level-Chip-Scale-Gehäuse (WLCSP): 2,1 mm x 2,1 mm
Applikationen
- High-Side-Lastschalter
- OVP-Schutz im USB-Anschluss des Smartphone
- Stromschalter-Schaltungen
- Stromversorgungssystem auf Bereitschaft
Veröffentlichungsdatum: 2024-06-04
| Aktualisiert: 2024-10-01