Nexperia NGWx Trench-Field-Stop-IGBTs

Nexperia NGWx Trench-Field-Stop-Bipolartransistoren (IGBTs) verfügen über die Technologie der 3. Generation und kombinieren Träger-gespeicherte Trench-Gate- und Field-Stop-Strukturen (FS). Die IGBTs sind für bis zu 175°C eingestuft und bieten optimierte IGBT-Abschaltverluste mit einer Kurzschlussfestigkeitszeit von 5μs. Diese hartschaltenden 600 V- und 30 A-IGBTs sind für industrielle Hochspannungs-, Niederfrequenz-Wechselrichter- und Servomotorantriebs-Applikationen optimiert.

Merkmale

  • Kollektorstrom (IC) bis zu 75 A
  • Niedrige Leitungs- und Schaltverluste
  • Stabile und enge Parameter für einen einfachen parallelgeschalteten Betrieb
  • Vollständig als sanfte schnelle Sperrverzögerungsdiode eingestuft
  • Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C
  • RoHS-konforme, bleifreie Beschichtung

Applikationen

  • Motorantriebe für Industrie- und Verbraucherapplikationen, insbesondere Servomotoren, die zwischen 5 kW und 20 kW betrieben werden (bis zu 20 kHz)
    • Robotik
    • Aufzüge
    • Betriebsgreifer
    • Inline-Fertigung
  • Wechselrichter
    • Wechselrichter für unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
    • Photovoltaik-Stränge (PV)
    • EV-Ladesysteme
  • Induktionserwärmung
  • Schweißen

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Pin-Informationen

Technische Zeichnung - Nexperia NGWx Trench-Field-Stop-IGBTs
Veröffentlichungsdatum: 2023-08-01 | Aktualisiert: 2025-04-03