onsemi FDT4N50NZU UniFET-II-MOSFET
Der onsemi FDT4N50NZU UniFET-II-MOSFET ist ein Hochspannungs-MOSFET, der auf der fortschrittlichen Planar-Streifen- und DMOS-Technologie basiert. Der MOSFET verfügt über einen kleinen Einschaltwiderstand beim planaren MOSFET. Er bietet eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Avalanche-Energiestärke. Dank einer internen Gate-Source-ESD-Diode widersteht der UniFET-II-MOSFET einer Stoßbelastung von über 2 kV HBM.
Merkmale
- Typischer RDS(on)= 2,42
- Sehr niedrige Gate-Ladung (Qg= 9,1 nC, typisch)
- 100 % Avalanche-getestet
- Diese Bauteile sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Computer-/Display-Netzteile
- Industrienetzteile
- Netzteile für Unterhaltungselektronik
Veröffentlichungsdatum: 2021-05-27
| Aktualisiert: 2022-03-11