onsemi NTD5Cx Leistungs-MOSFETs
onsemi NTD5Cx Leistungs-MOSFETs sind Einzel-n-Kanal-MOSFETs mit niedrigem RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten sowie niedrigem QG und einer Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine Drain-Source-Spannung (VDS) von 40 V und 60 V. Diese NTD5Cx Leistungs-MOSFETs werden bei einem Betriebs- und Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben. Diese NTD5Cx MOSFETs sind bleifreie, halogen-/BFR-freie und RoHS-konforme Bauteile.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedrige QG und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste
- Werden bei einem Betriebs- und Sperrtemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben
- Diese Bauteile sind bleifrei, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung | Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Qg - Gate-Ladung | Pd - Verlustleistung |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDD86540 |  |
MOSFETs 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET | 60 V | 21.5 A | 5 mOhms | 90 nC | 127 W |
| NTD5C632NLT4G | |
MOSFETs T6 60V LL DPAK | 60 V | 155 A | 2.5 mOhms | 78 nC | 115 W |
Veröffentlichungsdatum: 2018-07-01
| Aktualisiert: 2023-06-26