onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Der MOSFET der Baureihe NTMFD0D9N02P1E von onsemi ist ein Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen. Dieser MOSFET besteht aus einem asymmetrischen POWERTRENCH^®-Leistungsclip. Der MOSFET der Baureihe NTMFD0D9N02P1E zeichnet sich durch einen niedrigen RDS_(on) zur Minimierung der Leitungsverluste und einen niedrigen QG sowie eine geringe Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste aus. Dieser MOSFET ist in einem kompakten Design mit einem kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm erhältlich. Der MOSFET der Baureihe NTMFD0D9N02P1E ist bleifrei und halogen-/BFR-frei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, SystemSpannungsschienen und universelle Point-of-Load-Wandler.