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onsemi NTMFS6H858NL n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der NTMFS6H858NL N-Kanal-Leistungs-MOSFET von onsemi ist für kompakte und effiziente Designs in einem Flat-Lead-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm konzipiert. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über einen niedrigen RDS(on), eine niedrige QG und Kapazität sowie eine Logikpegel-Antriebsfähigkeit. Der NTMFS6H858NL N-Kanal-Leistungs-MOSFET wird bei einer Drain-to-Source-Spannung von 80 V, einer Gate-to-Source-Spannung von ±20 V und einem Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben. Dieser Leistungs-MOSFET ist Bleifrei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Schaltnetzteile, Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber und H-Brücken), 48V-Systeme, Motorsteuerung, Lastschalter und DC/DC-Wandler.

Merkmale

  • Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
  • Niedriger QG und geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
  • Pb−Frei
  • RoHS-konform
  • Kleiner Footprint von 5mm x 6mm für ein kompaktes Design

Technische Daten

  • 80V Drain-to-Source-Spannung
  • Gate-to-Source-Spannung: ±20 V
  • Gate-to-Source-Ableitstrom: 100 nA
  • Gate-Schwellenspannungsbereich: 1,2 V bis 2 V
  • Schwellwert-Temperaturkoeffizient: -2,9 mV/°C
  • Eingangskapazität: 623 pF
  • Ausgangskapazität: 82 pF
  • Gepulster Drainstrom: 142 A
  • Vorwärts-Transkonduktanz: 45 s
  • Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C

Applikationen

  • Schaltnetzteile
  • Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber und H-Brücken)
  • 48V-Systeme
  • Motorsteuerung
  • Lastschalter
  • DC/DC-Wandler

Diagramm der typischen Eigenschaften

Leistungsdiagramm - onsemi NTMFS6H858NL n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Maßbild

Technische Zeichnung - onsemi NTMFS6H858NL n-Kanal-Leistungs-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2023-12-20 | Aktualisiert: 2024-01-05