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onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

Der P-Kanal-MOSFET onsemi NTTFS007P02P8 für Niederspannung und Mittelspannung ist mit der Hochleistungs-PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit ausgestattet. Dieser MOSFET mit P-Kanal bietet eine hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit in einem weit verbreiteten Oberflächenmontagegehäuse. Der MOSFET NTTFS007P02P8 verfügt über eine Drain-Source-Spannung von -20 V, eine Gate-Source-Spannung von ±8 V, einen thermischen Widerstand von 3,8 °C/W (Junction-to-Case) und einen Gate-Widerstand von 4,5 Ω. Dieser P-Kanal-MOSFET ist bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform. Typische Anwendungen umfassen Lastschalter, Batteriemanagement, Energiemanagement und Schutz gegen umgekehrte Polarität.

Merkmale

  • Maximale RDS(on) = 6,5 m bei VGS = -4,5 V, ID = -14 A
  • Maximale RDS(on) = 9,8 m bei VGS = -2,5 V, ID = -11 A
  • Maximale RDS(on) = 20 m bei VGS = -1,8 V, ID = -9 A
  • Hochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)
  • Hohe Leistungs- und Stromhandhabungsfähigkeit in einem weit verbreiteten Oberflächenmontagegehäuse
  • Blei- und Halogenfrei
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Lastschalter
  • Batterie-Management
  • Energiemanagement
  • Schutz vor umgekehrter Polarität

Technische Daten

  • -20 V Drain-zu-Source-Spannung
  • ±8 V Gate-zu-Source-Spannung
  • Wärmeleitwiderstand von 3,8 °C/W, Verbindung zu Gehäuse
  • 4,5 Ω Gate-Widerstand
  • Betriebs- und Lagertemperaturbereich -55 °C bis 150 °C

Typische Leistungsmerkmale

Leistungsdiagramm - onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

Abmessungen

Technische Zeichnung - onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8
Veröffentlichungsdatum: 2025-11-19 | Aktualisiert: 2025-11-27