onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs
onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert. Diese MOSFETs zeichnen sich durch einen niedrigen Widerstand (RDS(on)) zur Reduzierung der Leitungsverluste und eine niedrige Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste aus. Die NVMFD5873NL Leistungs-MOSFETs bieten eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Diese MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Die NVMFD5873NL Leistungs-MOSFETs eignen sich ideal für die Motorsteuerung und als High-Side-/Low-Side-Schalter.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedrige Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste
- Option mit benetzbaren Flanken zur verbesserten optischen Inspektion
- AEC-Q101-qualifiziert
- PPAP-fähig
- Blei-, halogen- und BFR-frei
- Dual-SO-8FL-Gehäuse von 5 mm x 6 mm
Applikationen
- Motorsteuerung
- High-Side-/Low-Side-Schalter
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung von 60 V
- Gate-Source-Spannung von ±20 V
- Gepulster Drainstrom (TA = 25 °C, tp = 10 µs): 190 A
- Quellenstrom (Body-Diode): 58 A
- Sperrschicht-Betriebs- und Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
Dual-n-Kanal-MOSFET
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2026-02-25
| Aktualisiert: 2026-03-13