onsemi NVMFS4C306N Leistungs-MOSFETs
onsemi NVMFS4C306N Leistungs-MOSFETs bieten eine Drain-Source-Spannung von 30 V, einen RDS(ON) von 3,4 mΩ und einen Dauersenkenstrom von 71 A. Der Automotive-Leistungs-MOSFET ist in einem Flat-Lead-SO8-FL-Gehäuse von 5 mm x 6 mm erhältlich, das für kompakte und effiziente Designs ausgelegt ist.
Die NVMFS4C306N Leistungs-MOSFETs von onsemi verfügen über eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Der NVMFS4C306N ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig und eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- Optimierte Gate-Ladung zur Reduzierung von Schaltverlusten
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- NVMFS4C306NWF – Option mit benetzbaren Flanken für eine verbesserte optische Inspektion
- Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Batterie-Verpolungsschutz
- DC/DC-Wandler-Ausgangstreiber
Technische Daten
- Maximaler Dauersenkenstrom: 71 A
- 3,4 mΩ bei 10 V und 4,8 mΩ bei 4,5 V RDS(ON) (max.)
- Drain-Source-Spannung: 30 V
- Gate-Source-Spannung: ±20V
- Gepulster Drainstrom: 166 A
- Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
Typische Applikation
Veröffentlichungsdatum: 2023-12-29
| Aktualisiert: 2024-05-10