onsemi NVMYS4D5N04C Einzelne N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
Die einzelnen N-Kanal-Leistungs-MOSFETs NVMYS4D5N04C von onsemi wurden speziell für die Automobilindustrie entwickelt und sind in einem 5 mm x 6 mm LFPAK-Gehäuse untergebracht. Mit dem NVMYS4D5N04C von onsemi lassen sich kompakte und effiziente Designs realisieren und dabei eine hohe thermische Leistung sicherstellen. Die MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig und somit für Fahrzeuganwendungen geeignet, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Leiterebene erfordern.
Merkmale
- Niedriger RDS(on)
- Niedrige QG und Kapazität
- AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
- RoHS-konform
Applikationen
- Batterie-Verpolungsschutz
- Schaltnetzteile
- Leistungsschalter
- High-Side-Treiber
- Low-Side-Treiber
- H-Brücken
Anwendungsschaltplan
Veröffentlichungsdatum: 2024-02-14
| Aktualisiert: 2024-02-21