onsemi NVTYS020N08HL Leistungs-MOSFET
Der onsemi NVTYS020N08HL Leistungs-MOSFET ist ein n-Einkanal-MOSFET von 80 V, 20 mΩ und 30 A, der mit einem kompakten und effizienten Design für eine hohe thermische Leistungsfähigkeit ausgelegt ist. Dieser MOSFET verfügt über einen niedrigen RDS(ON) zur Reduzierung von Leitungsverlusten und eine niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten. Der NVTYS020N08HL Leistungs-MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Dieser MOSFET eignet sich für den Batterie-Verpolungsschutz, Leistungsschalter, Schaltnetzteile und andere Fahrzeuganwendungen.
Merkmale
- Kleiner Footprint (3,3 mmm x 3,3 mmm) für ein kompaktes Design
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- Drain-Source-Spannung (VDSS): 80 V
- Dauersenkenstrom (ID) von 40 A bei TC = 25 °C
- Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(on)): 20 mΩ
- LFPAK8-Gehäuse
- AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Batterie-Verpolungsschutz
- Leistungsschalter (wie High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber und H-Brücke)
- Magnettreiber
- Motorsteuerung
- Lastschalter
- Schaltnetzteile
Gehäuseabmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2024-02-19
| Aktualisiert: 2024-02-28