onsemi Qorvo UF3SC 650 V und 1200 V Hochleistungs-SiC-FETs

Qorvo UF3SC 650-V- und 1.200-V-Hochleistungs-SiC-FETs sind Siliziumkarbid-Bauelemente mit einem niedrigen R_DS(on) von 7 mΩ bis 45 mΩ. Sie sind für schnelle Schaltgeschwindigkeiten und geringere Schaltverluste konzipiert. Diese Bauteile basieren auf einzigartiger Kaskoden-Schaltung und weisen eine extrem niedrige Gate-Ladung auf. Die Kaskodenkonfiguration verwendet einen im Normalzustand eingeschalteten SiC-JFET, der mit einem Silizium-MOSFET zusammengeschaltet ist, um ein im Normalzustand gesperrtes SiC-FET-Bauelement zu erzeugen. Die UF3SC-FETs zeichnen sich durch standardmässige Gate-Treiber-Eigenschaften aus, die einen echten „Drop-in-Ersatz“ für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bauteile ermöglichen. Diese SiC-FETs verfügen über eine niedrige intrinsische Kapazität und eine ausgezeichnete Sperrverzögerung. Die UF3SC FETs von Qorvo werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C und einem Gate-Source-Spannungsbereich von -20 V bis +20 V betrieben. Diese SiC-FETs eignen sich hervorragend für das Laden von Elektrofahrzeugen (EV), Photovoltaik-Wechselrichter (PV), Motorantriebe, Schaltnetzteile, Blindleistungskompensationsmodule (PFC) und Induktionserwärmung. Die UF3SC SiC-FETs von Qorvo sind in TO-247-3L- und TO-247-4L-Gehäuseoptionen für ein schnelleres Schalten und saubere Gate-Wellenformen verfügbar.