ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs

Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für Automotive- und Schaltnetzteile. Die SiC-Leistungs-MOSFETs können zur Erhöhung der Schaltfrequenz eingesetzt werden, wodurch die Menge der erforderlichen Kondensatoren, Drosseln und anderen Komponenten verringert wird. Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs bieten eine ausgezeichnete Größen- und Gewichtsreduzierung in verschiedenen Antriebssystemen, wie z. B. Wechselrichtern und DC-DC-Wandlern in Fahrzeugen.

Bei Fahrzeugbatterien geht der Trend zu größeren Kapazitäten und kürzeren Ladezeiten. Dies erfordert On-Board-Ladegeräte mit hoher Leistung und hohem Wirkungsgrad, wie etwa 11 kW und 22 kW. Dies führt zu einem verstärkten Einsatz von SiC-MOSFETs. Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs erfüllen die Anforderungen neuerer Elektrofahrzeuge und nutzen eine Trench-Gate-Struktur. Das zukünftige Design der SiC-MOSFETs von ROHM zielt darauf ab, die Qualität weiter zu verbessern und die Produktpalette zu stärken, um die Leistung der Bauelemente zu erhöhen, den Stromverbrauch zu reduzieren und eine stärkere Miniaturisierung zu erreichen.

Die AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs bieten außerdem einen Drain-Source-Widerstandsbereich im eingeschalteten Zustand von 17 mΩ bis 120 mΩ (typisch) für 650 V Drain-Source-Spannung und 22 mΩ bis 160 mΩ (typisch) für 1200 V Drain-Source-Spannung. Darüber hinaus weisen die Bauteile eine Sperrschichttemperatur von bis zu 175 °C auf und sind in einer TO-247N-Gehäuseausführung erhältlich.