ROHM Semiconductor RB098BGE Schottky-Barriere-Dioden
Die RB098BGE Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor sind hochzuverlässige, leistungsgeformte Bauteile. Die RB098BGE zeichnet sich durch eine besonders niedrige IR-Strahlung und einen gemeinsamen Kathoden-Doppeltyp aus. Darüber hinaus verfügt das Bauteil über eine epitaktische planare Struktur aus Silizium.
Merkmale
- Hochzuverlässig
- Typ Power Mold
- Gemeinsame Kathode, dualer Typ
- Extrem niedriger IR
Applikationen
- Einschaltstromversorgung
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A wide array of high-reliability, low-loss diodes are available in various packages.
Veröffentlichungsdatum: 2022-02-08
| Aktualisiert: 2024-05-16