ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA P-Ch-Leistungs-MOSFET
Die P-Ch-Leistungs-MOSFETs der Baureihe RH7G04CBJFRA von ROHM Semiconductor sind gemäß AEC-Q101 für Automobilanwendungen qualifiziert, einschließlich Infotainment, Beleuchtung, ADAS und Karosserie. Das Bauelement bietet eine Drain-Source-Spannung von -40 V und einen kontinuierlichen Drainstrom von ±40 A. Der MOSFET RH7G04CBJFRA von ROHM ist in einem DFN-8-Gehäuse erhältlich.
Merkmale
- Produkt mit benetzbaren Flanken
- AEC-Q101-qualifiziert
- 100 % Avalanche-getestet
- DFN-8-Gehäuse
Applikationen
- ADAS
- Infotainment
- Beleuchtung
- Gehäuse-
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung: -40 V
- Statischer Drain-Source-Durchlasswiderstand: 17,7 mΩ
- ±40 AA Dauersenkenstrom
- 62 WW Verlustleistung
Typische Applikation
Messschaltungen
Veröffentlichungsdatum: 2025-03-03
| Aktualisiert: 2025-03-13