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ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

Der ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET ist ein kompaktes Hochleistungs-Bauteil, das für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist. Der RV7E035AT ist in einem platzsparenden TUMT3-Gehäuse untergebracht und bietet hervorragende Schalteigenschaften und einen niedrigen Einschaltwiderstand, wodurch er sich hervorragend für tragbare und batteriebetriebene Elektronik eignet. Dieser MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung (VDS) von -30 V, einen kontinuierlichen Drainstrom (ID) von -3,5 A und einen niedrigen On-Widerstand [RDS(on)] von nur 47 mΩ bei VGS = -4,5 V, um ein effizientes Leistungsmanagement und eine minimale Wärmeerzeugung zu gewährleisten. Der RV7E035AT von ROHM Semiconductor ist für Hochgeschwindigkeits-Schaltungen optimiert und eignet sich hervorragend für Lastschaltungen, DC-DC-Wandler und Energiemanagementschaltungen in kompakten elektronischen Geräten. Ein robustes Design und ein thermischer Wirkungsgrad unterstützen auch einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen.

Merkmale

  • Extrem kleines und freiliegendes Drain-Pad ohne Anschlüsse für hervorragende Wärmeleitung, SMD-Kunststoffgehäuse (1,2 mm × 1,2 mm × 0,5 mm)
  • Niedriger On-Widerstand von 78 mΩ (max.)
  • -4,5 V Antrieb
  • -30 V Maximale Drain-Source-Durchschlagspannung
  • -24.1mV/°C typischer Temperaturkoeffizient für Durchschlagspannung
  • ±3,5 A Maximaler Dauersenkenstrom
  • ±10 A Maximaler gepulster Drainstrom
  • ±20 V Maximale Gate-Source-Spannung
  • Avalanche-Strom mit Einzelpuls: -3,5 A (max)
  • Einzelimpuls-Avalanche-Energie: 0.46 mJ (max)
  • 1,1 W Maximale Verlustleistung
  • Ohne Gate-Spannung und einen Gate-Source-Kriechverlust: -1 µA (max)
  • Gate-Source-Ableitstrom: ±100 nA (max.)
  • Gate-Schwellenspannungsbereich: -1.0 V bis -2,5 V
  • Typischer Gate-Schwellenspannungs-Temperaturkoeffizient: 3,3 mV/°C
  • Typischer Gate-Widerstand: 13 Ω
  • Transadmittanz: 2,5 S
  • Typische Kapazität
    • 3,5 pF Eingang
    • 55 pF-Ausgang
    • 43 pF Rückwirkungskapazität
  • Typische Zeiten
    • 8.0 ns Einschaltverzögerung
    • 9.0 ns
    • 28 ns Ausschaltverzögerung
    • 8,5 ns Abfall
  • Typische Gate-Ladung
    • Gate-Ladung insgesamt: 4,3 nC
    • Gate-Source-Ladung: 1,6 nC
    • Gate-Drain-Ladung: 1,5 nC
  • Body-Diode
    • -0,92 A Maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom
    • -10 A Maximaler Impuls-Durchlassstrom
    • -1,2 V Maximale Durchlassspannung
  • -55 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich
  • Bleifreie Leitungsbeschichtung und RoHs-konform

Applikationen

  • Schaltkreise
  • High-Side-Lastschalter

Innere Schaltung

Applikations-Schaltungsdiagramm - ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2025-05-20 | Aktualisiert: 2025-06-04