ROHM Semiconductor RV7x n-Kanal-MOSFETs mit mittlerer Leistung
ROHM Semiconductor RV7x n-Kanal-MOSFETs im mittleren Leistungsbereich bieten einen niedrigen On-Widerstand und eine ausgezeichnete Wärmeleitung. Der RV7x ist in einem unbedrahteten, extrem kleinen und freiliegenden Drain-Pad-SMD-Kunststoffgehäuse (1,2 mm x 1,2 mm x 0,5 mm) verfügbar. Die RV7x MOSFETs von ROHM sind ideal für Schalt- und Lastschalter-Applikationen mit einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C.
Merkmale
- Unbedrahtetes, extrem kleines und freiliegendes Drain-Pad für hervorragende Wärmeleitungs-SMD-Kunststoffgehäuse (1,2 mm x 1,2 mm x 0,5 mm)
- Niedriger On-Widerstand
- Drive: 2,5 V (RV7L020GN) 4,5 V (RV7E040AJ)
- Bleifreie Leitungsbeschichtung
- RoHS-konform
Applikationen
- Schalten
- Lastschalter
Technische Daten
- VDSS von 60 V (RV7L020GN) 30 V (RV7E040AJ)
- RDS(on) von 157 mΩ (RV7L020GN) 45 mΩ (RV7E040AJ)
- ID bei ±2,0 A (RV7L020GN) ±4,0 A (RV7E040AJ)
- PD bei 1,1 W (RV7L020GN und RV7E040AJ)
- Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
Weitere Ressourcen
RV7L020GN Interne Schaltung
RV7E040AJ Interne Schaltung
Veröffentlichungsdatum: 2024-04-30
| Aktualisiert: 2024-09-06