ROHM Semiconductor SCT4018KW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

Der ROHM Semiconductor SCT4018KW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Der SCT4018KW7 ermöglicht eine einfache Ansteuerung und eine einfache Parallelschaltung. Das Bauelement verfügt außerdem über eine bleifreie Leitungsbeschichtung und ist RoHs-konform. Der SCT4018KW7 N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor eignet sich für Solarwechselrichter, Induktionserwärmung, Schaltnetzteile, DC/DC-Wandler und Motorantriebe.

Merkmale

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Schnelle Sperrverzögerung
  • Kann einfach parallelgeschaltet werden
  • Einfacher Antrieb
  • Bleifreie Leitungsbeschichtung, RoHs-konform

Applikationen

  • Solar-Wechselrichter
  • DC/DC-Wandler
  • Schaltnetzteile
  • Induktionserwärmung
  • Motorantriebe

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Gehäuseausführung

ROHM Semiconductor SCT4018KW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2022-09-28 | Aktualisiert: 2023-12-27