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STripFET™ F7 Power MOSFETs - STMicro
STMicroelectronics STripFET™ F7 Power MOSFETs
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STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.
Features
Low RDS(on)
Minimal RDS(on) x Qg for increased system efficiency and more compact designs
Lowest Crss/Ciss ratio for EMI immunity
High avalanche ruggedness
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Development Tools
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Veröffentlichungsdatum: 2015-09-01
| Aktualisiert: 2026-01-21