Texas Instruments TPSM63606 Synchrones Abwärtsleistungsmodul
Das Texas Instruments TPSM63606 synchrone Abwärtsleistungsmodul ist eine hochintegrierte DC/DC-Lösung mit 36 V und 6 A, die Leistungs-MOSFETs, eine geschirmte Induktivität und passive Bauelemente in einem Enhanced-HotRod™-QFN-Gehäuse kombiniert. Das Modul verfügt über Pins für VIN und VOUT, die sich an den Ecken des Gehäuses befinden, um die Layout-Platzierung der Eingangs- und Ausgangskondensatoren zu optimieren. Vier größere Wärme-Pads an der Unterseite des Moduls ermöglichen ein einfaches Layout und eine leichte Handhabung in der Fertigung.
Mit einer Ausgangsspannung von 1 V bis 16 V ist der TPSM63606 von Texas Instruments für die schnelle und einfache Implementierung eines Designs mit niedriger EMI auf einer kleinen PCB-Fläche ausgelegt. Die Gesamtlösung erfordert nur vier externe Komponenten und macht die Auswahl von Magneten und Kompensationsteilen im Designprozess überflüssig.
Obwohl das TPSM63606 Modul für eine geringe Größe und Einfachheit in platzbeschränkten Applikationen ausgelegt ist, bietet es viele Funktionen für eine robuste Leistung: Präzisionsfreigabe mit Hysterese für einstellbaren Eingangsspannungs-UVLO, widerstandsprogrammierbare Anstiegsgeschwindigkeit des Schaltknotens und Frequenzspreizungsoption für verbesserte EMI, integrierte VCC-, Bootstrap- und Eingangskondensatoren für erhöhte Zuverlässigkeit und höhere Dichte, konstante Schaltfrequenz über den gesamten Laststrombereich und eine PGOOD-Anzeige für Sequenzierung, Fehlerschutz und Ausgangsspannungsüberwachung. Die TPSM63606E Bauteile verfügen über Gold-Bonddrähte, einen Temperaturbereich von -55 °C bis +100 °C und einen SnPb-Leitungsfinish.
Merkmale
- Fähig für die funktionale Sicherheit
- Dokumentation zur Unterstützung des Designs von funktionalen Sicherheitssystemen ist verfügbar
- Vielseitiges synchrones Abwärtsmodul von 36 VIN, 6 AOUT
- Integrierte MOSFETs, Induktivität und Regler
- Einstellbare Ausgangsspannung von 1 V bis 16 V
- Umspritztes Gehäuse von 5,0 mm × 5,5 mm × 4 mm
- Sperrschichttemperaturbereich: -40 °C bis +125 °C
- Frequenz einstellbar von 200 kHz bis 2,2 MHz
- Negative Ausgangsspannungsfähigkeit
- Extrem hoher Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich
- Spitzenwirkungsgrad von mehr als 95 %
- Externe Vorspannungs-Option für einen verbesserten Wirkungsgrad
- Abschalt-Ruhestrom von 0,6 µA (typisch)
- Extrem niedrige leitungsgebundene und abgestrahlte EMI-Signaturen
- Rauscharmes Gehäuse mit dualen Eingangspfaden und integrierten Kondensatoren reduziert ein Schaltüberschwingen
- Frequenzspreizungsmodulation (S-Suffix)
- Über den Widerstand einstellbare Anstiegsrate des Schaltknotens
- Erfüllt die Anforderungen gemäß CISPR 11 und 32 Klasse B Emissionen
- Geeignet für skalierbare Netzteile
- Pin-kompatibel mit dem TPSM63604 (36 V, 4 A)
- Inhärente Schutzfunktionen für ein robustes Design
- Ein Präzisionsfreigabeeingang und eine Open-Drain-PGOOD-Anzeige für die Sequenzierung, Steuerung und VIN-UVLO
- Überstrom- und Übertemperaturschutz
Applikationen
- Prüfung und Messung, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung
- Fabrikautomatisierung und -steuerung
- Abwärts- und invertierende Abwärts-/Aufwärts-Netzteile
Datenblätter
Funktionales Blockdiagramm
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