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Vishay Semiconductors MXP120 MaxSiC™ 1.200-V-n-Kanal-MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120 MaxSiC™ 1.200-V-n-Kanal-MOSFETs zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 1.200 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs aus. Darüber hinaus bieten diese MOSFETs einen maximalen Leistungsverlust von 56 W bis 288 W (Tc = 25 °C) und einen Dauersenkenstrom von 10,5 A bis 53 A (Tc = 25 °C). Die MXP120 MaxSiC™ 1.200-V-n-Kanal-MOSFETs sind halogenfrei und in TO-247AD-3L-, TO-247AD-4L- und TO-263-7L-Gehäusen erhältlich. Diese MOSFETs werden in Ladegeräten, Hilfsmotorantrieben und DC/DC-Wandlern eingesetzt.

Merkmale

  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • 3 μs Kurzschlussfestigkeitszeit
  • Drain-Source-Spannung: 1.200 V
  • Maximaler Leistungsverlust von 56 W bis 288 W (Tc = 25 °C)
  • Dauersenkenstrom von 10,5 A bis 53 W (Tc  = 25 °C)
  • -55 °C bis 150 °C Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich
  • Blei- und halogenfrei
  • Erhältlich in TO-247AD-3L-, TO-247AD4L- oder TO-263-7L-Gehäusen
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Ladegeräte
  • DC/DC-Wandler
  • Hilfsmotorantriebe

Videos

Pin-Diagramm

Applikations-Schaltungsdiagramm - Vishay Semiconductors MXP120 MaxSiC™ 1.200-V-n-Kanal-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2024-08-12 | Aktualisiert: 2026-06-03