Vishay / Siliconix SiZ340BDT 30-V-n-Zweikanal-MOSFET
Der Vishay/Siliconix SiZ340BDT 30-V-n-Zweikanal-MOSFET verfügt über ein Dual-Konfigurationsdesign mit einer TrenchFET®-Gen-IV-Leistung. Das Modul bietet eine Drain-Quellenspannung von 30 VDS, einen gepulsten Drainstrom von 150 A in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C. Der SiZ340BDT 30-V-n-Zweikanal-MOSFET ist halogenfrei und RoHS-konform. Typische Applikationen sind CPU-Core-Leistung, synchrone Abwärtswandler, Telekommunikations-DC/DC-Wandler und Computer.
Merkmale
- TrenchFET-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs
- 100 % Rg- und UIS-getestet
- Integrierte PowerPAIR®-Halbbrücken-MOSFET-Leistungsstufe
- Optimiertes Qgd/Qgs-Verhältnis verbessert die Schalteigenschaften
- RoHS-konform
- Halogenfrei
Applikationen
- CPU-Core-Leistung
- Computer-/Server-Peripherie
- Punktlast (PoL)
- Synchrone Abwärtswandler
- Telekommunikations-DC/DC-Wandler
Abmessungen
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Low-to-high Leistung für Applikationen in Wachstumsmärkten.
Veröffentlichungsdatum: 2020-11-19
| Aktualisiert: 2024-12-17