Vishay Semiconductors IR-Emitter und Silizium-PIN-Fotodiode
Die IR-Emitter und Silizium-PIN-Fotodioden von Vishay Semiconductors sind 830 nm und 950 nm Hochgeschwindigkeits-Infrarotstrahler und an das Gehäuse angepasste Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Fotodioden mit hoher Strahlungsempfindlichkeit von 1 mW/sr bis 1.800 mW/sr. Die Anstiegs- und Abfallzeiten reichen von 2,5 ns bis 1.000 ns. Vishay bietet Dual-Heterojunction-Infrarotstrahler mit den niedrigsten Durchlassspannungen auf dem Markt und hocheffiziente Homojunction-Emitter. Vishay bietet außerdem die größte Auswahl an Hochgeschwindigkeits-PIN-Fotodioden mit geringem Dunkelstrom, die speziell für eine ausgezeichnete Empfindlichkeit zusammen mit einer hohen Zuverlässigkeit ausgelegt sind.
Merkmale
- Fotodiode
- Hohe Strahlungsempfindlichkeit von 1 mW/sr bis 1.800 mW/sr
- Der Tageslichtfilter ist an die 830 bis 950nm IR-Impulsgeber angepasst
- Entgegengerichteter Schwachstrom von 3μA
- Niedriger Dunkelstrom von 1 nA
- 920nm Sensibilität der Peak-Wellenlänge
- Niedriger 0.1%/K Temperaturkoeffizient des Schwachstroms
- Kompaktes Gehäuse 3 x 2mm mit einer Höhe von nur 1mm
- Sehr weiter ±75º Halbwertswinkel
- Lebensdauer von 168 Stunden und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) von 3 gemäß J-STD-020
- Unterstützt das bleifreie Refow-Anschlusslöten
- Konform mit den "Grünen"-Standards von Vishay
- IR-Emitter
- Spitzenwellenlänge von 830 nm und 950 nm
- Klare, durchsichtige Plastikgehäuse
- Hohe Strahlungsempfindlichkeit von 1 mW/sr bis 1.800 mW/sr
- Schnelle Schaltzeiten von 15ns
- GaAIAs MQW (Multi Quantum Well) und DH (Double Hetero) Technologie
- Niedrige Durchlassspannung bis herunter zu 1.3V Typ.
Applikationen
- IR-Touch-Panels für Bauteile
- Druckeranzeigen
- eBook-Lesegeräte
- Smartphones
- Tablets
- Ultrabooks
- GPS-Einheiten
- Hochleistungs-Emitter für enge Räume
- Übertragbare und reflektierende Hochleistungssensoren
Infografik – Fotodioden
Infografik – Optische Sensoren
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